Формирование наноразмерных элементов затворов СВЧ-транзисторов методом ионно-лучевой литографии

ионно-лучевая литография; СВЧ-транзистор; фокусированный ионный пучок; полиметилметакрилат; ионная микроскопия; знаки совмещения; многослойный резист.

Дельта-сигма-модулятор для мультистандартной обработки сигналов, Методы учета случайности формы включений при вычислении эффективных диэлектрических характеристик гетерогенных текстурированных материалов, ...

УДК 537.534.35:621.382.323 Формирование наноразмерных элементов затворов СВЧ-транзисторов методом ионно-лучевой литографии <...> К.К. Лаврентьев, В.К. Неволин, Р.Ю. Розанов, К.А. Царик, А.А. Зайцев Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Formation of Nanosize Elements of Microwave Transistors Gates by Ion Beam Lithography K.K.Lavrentyev, V.K.Nevolin, R.Yu.Rozanov, K.A.Tsarik, A.A.Zaitsev National Research University of Electronic Technology, Moscow Изложена методика формирования наноразмерного затвора мощного СВЧ-транзистора. <...> Определены оптимальные параметры экспонирования резистов 950-ПММА-А2 и ЭЛП-20. <...> Исследован технологический маршрут ионно-лучевой литографии с применением многослойных резистов. <...> Отработана технология создания непрерывной сетки заземленных знаков совмещения поверх чувствительного к ионам резиста для визуализации знаков совмещения на диэлектрической подложке методом ионной микроскопии. <...> Ключевые слова: ионно-лучевая литография; СВЧ-транзистор; фокусированный ионный пучок; полиметилметакрилат; ионная микроскопия; знаки совмещения; многослойный резист. <...> Одним из методов улучшения данных электрофизических характеристик приборов является уменьшение размеров элементов, в частности создание наноразмерных затворов. <...> Элементы современных электронных приборов размером 200 нм и менее обычно создаются методами проекционной фотолитографии или литографии с экстремальным ультрафиолетом, требующими использования крайне дорогостоящих оборудования и К.К. Лаврентьев, В.К. Неволин, Р.Ю. Розанов, К.А. Царик, А.А. Зайцев, 2015 Известия вузов. <...> Ионы обладают большей массой по сравнению с электронами и поэтому отдают свою энергию более эффективно, а рассеяние пучка при этом меньше [2]. <...> Боковое рассеяние ионов при их проникновении в вещество и обратное рассеяние ионов от подложки незначительны, а вторичные электроны, инициированные ионным пучком, имеют малую энергию по сравнению с электронной литографией и, следовательно, малую длину свободного пробега. <...> В результате отсутствует нежелательное <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт