Влияние параметров слоя кремний-германиевой базы на эффект саморазогрева в структуре гетеропереходного биполярного транзистора

электротепловое моделирование; приборно-технологическое моделирование; эффект саморазогрева; SiGe гетеропереходный биполярный транзистор; тепловое сопротивление.

Анализ проблем создания платформонезависимого HDL-описания модуля быстрого преобразования Фурье, Дельта-сигма-модулятор для мультистандартной обработки сигналов, ...

УДК 621.382.33: 004.942: 536.21 Влияние параметров слоя кремний-германиевой базы на эффект саморазогрева в структуре гетеропереходного биполярного транзистора <...> Кожухов1 1Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» 2Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (г. Москва) Influence of SiGe Base Layer Parameters on Self-Heating Effect in Heterojuction Bipolar Transistor Structure K.O. <...> Kozhukhov1 1National Research University of Higher School of Economics 2Institute for Design Problems in Microelectronics of the Russian Academy of Sciences, Moscow Проведено электротепловое моделирование современных структур Si и SiGe биполярных транзисторов с помощью САПР Sentaurus Synopsys. <...> Показано, что для SiGe гетеропереходных биполярных транзисторов, работающих на высоких плотностях тока, наблюдается более высокая рабочая температура по сравнению с идентичными кремниевыми транзисторами при одинаковой рассеиваемой мощности, что приводит к сильной деградации электрофизических параметров прибора и его электрических характеристик. <...> Ключевые слова: электротепловое моделирование; приборно-технологическое моделирование; эффект саморазогрева; SiGe гетеропереходный биполярный транзистор; тепловое сопротивление. <...> An electro-thermal modeling of modern SiGe and Si bipolar transistor structures using TCAD Sentaurus Synopsys has been carried out. <...> Кремний-германиевые (SiGe) гетеропереходные биполярные транзисторы (ГБТ) являются перспективными компонентами мощных и высокочастотных интегральных схем для радиотехнических и телекоммуникационных применений. <...> Однако известно, что существенным ограничивающим фактором, вызывающим деградацию характеристик SiGe ГБТ, являются эффекты саморазогрева и отвода тепла из активной рабочей области прибора. <...> Это обусловлено двумя особенностями конструкции SiGe ГБТ (рис. <...> Таким образом, для SiGe ГБТ проблема саморазогрева является более критичной, чем для традиционных кремниевых биполярных транзисторов (Si БТ). <...> Структура SiGe ГБТ с мелкой и глубокой щелевой изоляцией (а); 1D-распределение примеси и температуры в вертикальном сечении структуры SiGe ГБТ и Si <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт