Влияние параметров слоя кремний-германиевой базы на эффект саморазогрева в структуре гетеропереходного биполярного транзистора

электротепловое моделирование; приборно-технологическое моделирование; эффект саморазогрева; SiGe гетеропереходный биполярный транзистор; тепловое сопротивление.

Моделирование зависимости выходных характеристик первичного преобразователя датчика потока мембранного типа от его конструктивных параметров, Методы учета случайности формы включений при вычислении эффективных диэлектрических характеристик гетерогенных текстурированных материалов, ...

УДК 621.382.33: 004.942: 536.21 Влияние параметров слоя кремний-германиевой базы на эффект саморазогрева в структуре гетеропереходного биполярного транзистора <...> Кожухов1 1Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» 2Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (г. Москва) Influence of SiGe Base Layer Parameters on Self-Heating Effect in Heterojuction Bipolar Transistor Structure K.O. <...> Kozhukhov1 1National Research University of Higher School of Economics 2Institute for Design Problems in Microelectronics of the Russian Academy of Sciences, Moscow Проведено электротепловое моделирование современных структур Si и SiGe биполярных транзисторов с помощью САПР Sentaurus Synopsys. <...> Показано, что для SiGe гетеропереходных биполярных транзисторов, работающих на высоких плотностях тока, наблюдается более высокая рабочая температура по сравнению с идентичными кремниевыми транзисторами при одинаковой рассеиваемой мощности, что приводит к сильной деградации электрофизических параметров прибора и его электрических характеристик. <...> Ключевые слова: электротепловое моделирование; приборно-технологическое моделирование; эффект саморазогрева; SiGe гетеропереходный биполярный транзистор; тепловое сопротивление. <...> An electro-thermal modeling of modern SiGe and Si bipolar transistor structures using TCAD Sentaurus Synopsys has been carried out. <...> Кремний-германиевые (SiGe) гетеропереходные биполярные транзисторы (ГБТ) являются перспективными компонентами мощных и высокочастотных интегральных схем для радиотехнических и телекоммуникационных применений. <...> Однако известно, что существенным ограничивающим фактором, вызывающим деградацию характеристик SiGe ГБТ, являются эффекты саморазогрева и отвода тепла из активной рабочей области прибора. <...> Это обусловлено двумя особенностями конструкции SiGe ГБТ (рис. <...> Таким образом, для SiGe ГБТ проблема саморазогрева является более критичной, чем для традиционных кремниевых биполярных транзисторов (Si БТ). <...> Структура SiGe ГБТ с мелкой и глубокой щелевой изоляцией (а); 1D-распределение примеси и температуры в вертикальном сечении структуры SiGe ГБТ и Si <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт