Исследование фотоэлектрических свойств образцов высокоомного теллурида кадмия-цинка

теллурид кадмия-цинка; подсветка образцов; вольтамперные и люкс-амперные характеристики; ток короткого замыкания; напряжение холостого хода.

Узкоспектральные фоточувствительные структуры на основе J-агрегатов цианиновых красителей, Этан как модель энергетического состояния атомов в кристалле кубического углерода, ...

МАТЕРИАЛЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ ELECTRONIC ENGINEERING MATERIALS УДК 621.315.592 Исследование фотоэлектрических свойств образцов высокоомного теллурида кадмия-цинка <...> Kanevskii2 1National Research University Higher School of Economics, Moscow 2State Scientific Center of Russian Federation Stock Company State Scientific Research and Design Institute of Rare Metal Industry «GIREDMET», Moscow Исследованы вольт-амперные и люкс-амперные характеристики образцов высокоомных полупроводниковых материалов CdTe и Cd1–yZnyTe при комнатной температуре и различных интенсивностях подсветки, а также зависимости тока короткого замыкания и напряжения холостого хода от интенсивности излучения при облучении образцов светом с длиной волны 740 нм. <...> Показано, что люкс-амперные характеристики образца теллурида кадмия-цинка зависят от полярности приложенного напряжения, а вольт-амперные характеристики сильно зависят от интенсивности излучения и имеют излом в начале координат. <...> Высказано предположение о существовании в образце встроенного электрического поля, обусловленного технологическими режимами роста и отжига слитка. <...> Ключевые слова: теллурид кадмия-цинка; подсветка образцов; вольтамперные и люкс-амперные характеристики; ток короткого замыкания; напряжение холостого хода. <...> It has been shown that the lux-current characteristics of А.П. Лысенко, В.А. Голубятников, А.Г. Белов, В.Е. Каневский, 2016 Известия вузов. <...> А.П. Лысенко, В.А. Голубятников, А.Г. Белов, В.Е. Каневский zinc cadmium telluride sample depend on the applied voltage polarity; the voltage-current characteristics strongly depend on the light intensity and have peculiar fracture at the coordinate zero-point. <...> Цель исследований фотоэлектрических свойств высокоомных полупроводников 1–7 – разработка методов контроля электрофизических параметров данных материалов. <...> Подсветка образца, заметно изменяющая его свойства, служит инструментом для определения «темновых» параметров материала (именно они интересуют технологов-разработчиков материала). <...> Подсветка любой его части приводит к снижению сопротивления омических контактов и изменению проводимости всего образца 6. <...> В настоящей работе <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт