▲ наверх
РУАЭСТ (RUAEST)
РУ
сскоязычный
А
рхив
Э
лектронных
СТ
атей периодических изданий
Главная
Расширенный поиск ИСА
Расширенный поиск
О проекте
Контакты
Вход
|
Регистрация
Запомнить меня
Восстановить пароль
Войти
Найти!
Продвинутый поиск
Известия высших учебных заведений. Электроника
/2016/
№ 1
Купить весь выпуск
Известия высших учебных заведений. Электроника - 2016 - №1
Статьи из номера
Анализ методов разбраковки на основе 3D-рендеринга в технологическом процессе производства изделий микроэлектроники
Исследование фотоэлектрических свойств образцов высокоомного теллурида кадмия-цинка
Анализ механизма утечки щелочного металла в стеклокерамических соединениях сапфира с ниобием
Влияние электрон-фононного взаимодействия на обратные токи p–n-переходов на основе GaAs
Применение модифицированного уравнения Гиббса для задач исследования отказов изделий микросистемной техники
Узкоспектральные фоточувствительные структуры на основе J-агрегатов цианиновых красителей
Формирование углеродных нанотрубок на пленке аморфного сплава Ni25Ta58N17 методом химического осаждения из газовой фазы
Емкостные датчики на основе нанотрубных суперконденсаторов
Исследование физически неклонируемых функций на основе статической памяти
Методы ускорения переходных процессов в синтезаторах сетки частот
Применение двухволновой рентгенооптической схемы совместных измерений зеркального отражения и диффузного рассеяния рентгеновского излучения для исследования многослойных тонкопленочных структур
Влияние состояния поверхности затравочного слоя меди на однородность электрохимического заполнения медью канавок с субмикронными размерами
Этан как модель энергетического состояния атомов в кристалле кубического углерода
Импульсный источник питания GaN-транзисторов