Измерения электрофизических характеристик полупроводниковых структур с использованием

СВЧ фотонный кристалл; полупроводниковые слоистые структуры; многопараметровые измерения; толщина; удельная электропроводность.

Анализ устойчивости КМОП дифференциальных усилителей к воздействию накопленной дозы ионизирующих излучений, Верификация аппаратных описаний алгебраических блоков в среде MatLab, ...

МЕТОДЫ И ТЕХНИКА ИЗМЕРЕНИЙ MEASUREMENT METHODS AND TECHNOLOGY УДК 621.372.2 Измерения электрофизических характеристик полупроводниковых структур с использованием СВЧ фотонных кристаллов <...> В. А. Котельникова Российской академии наук Measurements of Elecrophysical Characteristics of Semiconductor Structures Using Microwave Photonic Crystals D.A. <...> Latysheva1 1Saratov State University Named after N.G.Chernyshevsky 2Kotel’nikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow Предложен метод измерений электрофизических характеристик полупроводниковых структур: удельной электропроводности n-слоя, играющего роль подложки полупроводниковой структуры; толщины и удельной электропроводности сильнолегированного эпитаксиального n+-слоя. <...> Метод основан на использовании одномерного СВЧ фотонного кристалла с нарушением периодичности, содержащего исследуемую полупроводниковую структуру. <...> Приведены измеренные данным методом характеристики эпитаксиальных арсенид-галлиевых структур, состоящих из эпитаксиального слоя и полуизолирующей подложки. <...> Ключевые слова: СВЧ фотонный кристалл; полупроводниковые слоистые структуры; многопараметровые измерения; толщина; удельная электропроводность. <...> The method of the multiparameter measurements of characteristics of semiconductor structures: the electrical conductivity of the n-layer, which acts as a substrate of the semiconductor structure, the thickness and conductivity of the Д.А. Усанов, С.А. Никитов, А.В. Скрипаль, Д.В. Пономарев, Е.В. Латышева, 2016 Известия вузов. <...> Д.А. Усанов, С.А. Никитов, А.В. Скрипаль и др. highly doped epitaxial n-layer, has been proposed. <...> В процессе создания современных устройств микро- и наноэлектроники одним из важных этапов является многопараметровый контроль электрофизических характеристик и толщин многослойных полупроводниковых структур. <...> Для одновременного определения электропроводности и толщины полупроводниковых слоев можно использовать одномерные волноводные СВЧ фотонные кристаллы (рис. <...> При наличии в такой структуре дефекта, нарушающего периодичность, в фотонной запрещенной зоне проявляется резонансная особенность [1], называемая примесной модой колебаний <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт