Формирование автоэмиссионных эмиттеров с использованием микроволнового плазмохимического синтеза наноуглеродных структур

алмазные и графитовые пленки; микроволновой метод осаждения; автоэмиссионные элементы.

Формирование двухкомпонентных вертикальных контактных структур для монтажа кристаллов интегральных схем, Приборно-технологическое моделирование элементов интегральной электроники с повышенной стойкостью к внешним воздействиям, ...

ТЕХНОЛОГИЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ MICRO- AND NANOELECTRONICS TECHNOLOGY УДК 621.385.1 Формирование автоэмиссионных эмиттеров с использованием микроволнового плазмохимического синтеза наноуглеродных структур <...> Timoshenkov3 1RAS, Kotel’nikov Institute of Radio Engineering and Electronics 2Molecular Electronics Research Institute, Moscow 3National Research University of Electronic Technology, Moscow Описана технология формирования наноуглеродных эмиттеров для интегральных автоэмиссионных элементов. <...> Определены режимы получения различных углеродных пленочных структур: алмазных, графитовых, графеноподобных. <...> Показано, что высокие эмиссионные свойства наноалмазографитовых эмиттеров обеспечиваются за счет эффекта самоорганизации алмазных нанокристаллов в графитовой пленке в процессе осаждения пленок из паров этанола при низком давлении с использованием высоконеравновесной СВЧ-плазмы. <...> На основе разработанного метода изготовлены и исследованы экспериментальные образцы интегральных автоэмиссионных диодов с наноалмазографитовыми эмиттерами. <...> Получены следующие параметры интегральных автоэмиссионных диодов: порог эмиссии 2,5 В/мкм, плотность эмиссионного тока 1,75 А/см2. <...> При исследовании эмиттеров лезвийного типа получена наибольшая плотность тока более 20 А/см2. <...> Ключевые слова: алмазные и графитовые пленки; микроволновой метод осаждения; автоэмиссионные элементы. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 21 2 2016 Формирование автоэмиссионных эмиттеров… The technology of forming the carbon emitters for the integrated field emission elements has been developed. <...> Одним из основных преимуществ неравновесной («холодной») микроволновой плазмы низкого давления в магнитном поле по сравнению с плазмой других типов электрических газовых разрядов, используемых в микро- и наноэлектронике, является возможность эффективного управления условиями получения углеродных структур в различных аллотропных модификациях [1]. <...> В настоящей работе определены режимы, обеспечивающие раздельное получение углеродных пленочных структур заданной модификации (алмазные, графитовые <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт