Моделирование теплового поражения СВЧ-диода мощным импульсом электромагнитного излучения

температура; СВЧ-диод; импульс СВЧ-излучения; тепловое поражение

Атомно-силовая микроскопия клеток фибробластов, культивированных на коллаген-хитозановом каркасе, Системный анализ функционирования чистых помещений для микроэлектроники, ...

УДК 621.382.088 Моделирование теплового поражения СВЧ-диода мощным импульсом электромагнитного излучения <...> Molgachev2 1Kotel’nikov Institute of Radio Engineering and Electronics (Ulyanovsk branch), Russian Academy of Sciences 2Ulyanovsk State Technical University Представлена модель теплового поражения полупроводникового СВЧ-диода мощным СВЧ-импульсом с температурозависимой плотностью мощности. <...> Найдено распределение максимальной температуры по полупроводниковой структуре в зависимости от длительности импульса излучения. <...> Воздействие на радиоэлектронную аппаратуру импульсов мощного электромагнитного излучения (ЭМИ) вызывает быстрый (за несколько десятков наносекунд) разогрев структуры полупроводниковых приборов (ППП). <...> Это приводит к появлению канала высокой проводимости в приборной структуре и, как следствие, к тепловому пробою pn-переходов. <...> Для эффективной защиты ППП от поражения мощными импульсами ЭМИ необходимы адекватные модели изменения температуры перехода со временем [1]. <...> Известные модели [2–4] теплового поражения ППП мощными ЭМИ являются одномерными и линейными. <...> В этих моделях, в частности, не учитывались температурные зависимости плотности мощности источников тепла и теплофизических характеристик материалов приборных структур. <...> Возникающая в результате этих механизмов положительная тепловая обратная связь (ПТОС) должна приводить к увеличению неоднородности распределения температуры по активной области полупроводниковой структуры и росту ее максимальной температуры [5] по сравнению с линейным приближением. <...> В настоящей работе рассматривается двухмерная осесимметричная тепловая модель полупроводниковой структуры СВЧ кремниевого диода с учетом ПТОС. <...> Предполагается, что рассеиваемая в структуре тепловая энергия равна энергии внешнего воздействующего импульса ЭМИ и подводимой к диоду электрической энергии от источника питания. <...> Вследствие малой толщины собственно pn-перехода его тепловое сопротивление является малым и им можно <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт