РУсскоязычный Архив Электронных СТатей периодических изданий
Известия высших учебных заведений. Электроника/2016/№ 3/
В наличии за
140 руб.
Купить
Облако ключевых слов*
* - вычисляется автоматически
Недавно смотрели:

Исследование влияния электронного облучения на импульсную электрическую прочность диодов

Исследовано влияние электронного облучения на параметры полупроводниковых диодов при прохождении одиночного импульса тока. Приведены результаты расчетов и экспериментальных исследований влияния электронного облучения на импульсную электрическую прочность. Показано, что при увеличении длительности импульса уменьшение амплитуды импульса тока, необходимого для достижения критической температуры, происходит за счет увеличения теплового сопротивления.

Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
КРАТКИЕ СООБЩЕНИЯ BRIEF REPORTS УДК 621.382.2 Исследование влияния электронного облучения на импульсную электрическую прочность диодов <...> Kharitonov National Research University Higher School of Economics Исследовано влияние электронного облучения на параметры полупроводниковых диодов при прохождении одиночного импульса тока. <...> Показано, что при увеличении длительности импульса уменьшение амплитуды импульса тока, необходимого для достижения критической температуры, происходит за счет увеличения теплового сопротивления. <...> Ключевые слова: диод; импульс тока; импульсная электрическая прочность; критическая температура; электронное облучение; тепловое сопротивление. <...> При прохождении одиночного импульса тока Tимп (ОИТ) через p–n-переход выделяется импульсная мощность в его локализованной области, которая приводит к перегреву p–n-перехода. <...> В результате температура в p–n-переходе достигает критической Tкр и может произойти плавление кремния и, как следствие, разрушение структуры диода. <...> Значение импульсной мощности Pимп при этих процессах определяется напряжением пробоя Uпроб, ОИТ и сопротивлением базы Rб диода. <...> Экспериментальное определение температуры p–n-перехода в момент прохождения ОИТ является сложным и дорогостоящим. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 21 3 2016 Краткие сообщения водстве полупроводниковых приборов для уменьшения времени жизни носителей. <...> После воздействия ЭО изменяется напряжение пробоя и сопротивление базы. <...> Согласно работам [1–3] тепловую модель диода можно представить как тепловое сопротивление Rthjа от p–n-перехода до окружающей среды, которое можно разложить на составляющие (рисунок). <...> Тепловая модель диода: Rthjk – тепловое сопротивление р–n-переход – кристалл; Rthkl – тепловое сопротивление кристалл – алюминий; Rthlt – тепловое сопротивление алюминий – теплоотвод; Rthta – тепловое сопротивление теплоотвод – окружающая среда; Сthjk – тепловая емкость р–n-переход – кристалл; Сthkl – тепловая емкость кристалл – алюминий; Сthlt – тепловая <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы: