Исследование влияния электронного облучения на импульсную электрическую прочность диодов

диод; импульс тока; импульсная электрическая прочность; критическая температура; электронное облучение; тепловое сопротивление.

Оценка числа абонентов информационно-управляющей вычислительной системы с использованием ЛВС EtherCAT из условия обеспечения требуемой наработки на отказ системы, Определение концентрации свободных носителей заряда в твердых растворах CdxHg1–xTe по спектрам отражения в дальней инфракрасной области, ...

КРАТКИЕ СООБЩЕНИЯ BRIEF REPORTS УДК 621.382.2 Исследование влияния электронного облучения на импульсную электрическую прочность диодов <...> Kharitonov National Research University Higher School of Economics Исследовано влияние электронного облучения на параметры полупроводниковых диодов при прохождении одиночного импульса тока. <...> Показано, что при увеличении длительности импульса уменьшение амплитуды импульса тока, необходимого для достижения критической температуры, происходит за счет увеличения теплового сопротивления. <...> Ключевые слова: диод; импульс тока; импульсная электрическая прочность; критическая температура; электронное облучение; тепловое сопротивление. <...> При прохождении одиночного импульса тока Tимп (ОИТ) через p–n-переход выделяется импульсная мощность в его локализованной области, которая приводит к перегреву p–n-перехода. <...> В результате температура в p–n-переходе достигает критической Tкр и может произойти плавление кремния и, как следствие, разрушение структуры диода. <...> Значение импульсной мощности Pимп при этих процессах определяется напряжением пробоя Uпроб, ОИТ и сопротивлением базы Rб диода. <...> Экспериментальное определение температуры p–n-перехода в момент прохождения ОИТ является сложным и дорогостоящим. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 21 3 2016 Краткие сообщения водстве полупроводниковых приборов для уменьшения времени жизни носителей. <...> После воздействия ЭО изменяется напряжение пробоя и сопротивление базы. <...> Согласно работам [1–3] тепловую модель диода можно представить как тепловое сопротивление Rthjа от p–n-перехода до окружающей среды, которое можно разложить на составляющие (рисунок). <...> Тепловая модель диода: Rthjk – тепловое сопротивление р–n-переход – кристалл; Rthkl – тепловое сопротивление кристалл – алюминий; Rthlt – тепловое сопротивление алюминий – теплоотвод; Rthta – тепловое сопротивление теплоотвод – окружающая среда; Сthjk – тепловая емкость р–n-переход – кристалл; Сthkl – тепловая емкость кристалл – алюминий; Сthlt – тепловая <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт