РУсскоязычный Архив Электронных СТатей периодических изданий
Найти!
Известия высших учебных заведений. Электроника/2016/№ 3/
В наличии за
140 руб.
Купить
Облако ключевых слов*
* - вычисляется автоматически
Недавно смотрели:

Исследование структурных свойств кремния на сапфире в процессе гидридно-хлоридной газофазной гетероэпитаксии

Методами атомно-силовой микроскопии и УФ-рассеяния исследована поверхность эпитаксиальных слоев кремния на сапфире (КНС). Проведен рентгеноструктурный анализ слоев КНС. Переходная область кремний– сапфир исследована методом фотоЭДС. Рассмотрена и экспериментально подтверждена проблема аккумуляции побочных продуктов синтеза кремния из моносилана. Обнаружено, что добавление хлорсодержащих реагентов в процесс эпитаксии позволяет исключить влияние данных продуктов на растущий слой, а также модифицировать микрорельеф поверхности. Исследования поверхности и структуры слоев КНС позволили определить, что рост пленок осуществляется по механизму Странски – Крастанова. Показано, что комбинированный метод, заключающийся в предварительном наращивании слоя КНС толщиной 30–60 нм из чистого SiH4 и дальнейшем доращивании слоя при соотношении расходов газовых компонентов 2SiH4:1SiCl4, является наиболее предпочтительным методом изготовления структур КНС с толщиной слоя от 300 нм и более.

Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
ТЕХНОЛОГИЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ MICRO- AND NANOELECTRONICS TECHNOLOGY УДК 538.911 Исследование структурных свойств кремния на сапфире в процессе гидридно-хлоридной газофазной гетероэпитаксии <...> Емельянов2 1АО «ЭПИЭЛ» (г. Москва) 2Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Study on Silicon on Sapphire Structural Properties in Process of Hybrid-Chloride Gas-Phase Epitaxy E.M. <...> Emelyanov2 1Epiel JSC, Moscow 2National Research University of Electronic Technology, Moscow Методами атомно-силовой микроскопии и УФ-рассеяния исследована поверхность эпитаксиальных слоев кремния на сапфире (КНС). <...> Исследования поверхности и структуры слоев КНС позволили определить, что рост пленок осуществляется по механизму Странски – Крастанова. <...> Показано, что комбинированный метод, заключающийся в предварительном наращивании слоя КНС толщиной 30–60 нм из чистого SiH4 и дальнейшем доращивании слоя при соотношении расходов газовых компонентов 2SiH4:1SiCl4, является наиболее предпочтительным методом изготовления структур КНС с толщиной слоя от 300 нм и более. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 21 3 2016 Исследование структурных свойств кремния на сапфире… synthesis secondary products has been considered and experimentally confirmed. <...> The studies on the SOS surface and layers structure have enabled to determine that the growth of films is realized according to the Stranski-Krastanov mechanism. <...> Элементы интегральных схем (ИС) на структурах КНС отличаются малыми потерями мощности, повышенным быстродействием, малым энергопотреблением и более высокой собственной частотой по сравнению с аналогами на объемном кремнии. <...> Электрические свойства структур КНС в основном зависят от структурных характеристик ГЭС: напряжений в кристаллической решетке кремния, вызванных различием коэффициентов термического расширения кремния и сапфира, ориентационной неоднородности ГЭС и дефектного переходного слоя вблизи интерфейса кремний–сапфир [3]. <...> Состояние приграничной области Si–Al2O3 определяет наличие глубоких энергетических уровней, образованных высокой плотностью поверхностных состояний интерфейса Si–Al2O3, которые нарушают работу ИС на КНС и приводят к уменьшению <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы:

  • Похожие документы из РУАЭСТ
  • |
  • Похожие документы из Руконт

Помощь:

Участники:

© НЦР Руконт 2014