Исследование структурных свойств кремния на сапфире в процессе гидридно-хлоридной газофазной гетероэпитаксии
Методами атомно-силовой микроскопии и УФ-рассеяния исследована поверхность эпитаксиальных слоев кремния на сапфире (КНС). Проведен рентгеноструктурный анализ слоев КНС. Переходная область кремний– сапфир исследована методом фотоЭДС. Рассмотрена и экспериментально подтверждена проблема аккумуляции побочных продуктов синтеза кремния из моносилана. Обнаружено, что добавление хлорсодержащих реагентов в процесс эпитаксии позволяет исключить влияние данных продуктов на растущий слой, а также модифицировать микрорельеф поверхности. Исследования поверхности и структуры слоев КНС позволили определить, что рост пленок осуществляется по механизму Странски – Крастанова. Показано, что комбинированный метод, заключающийся в предварительном наращивании слоя КНС толщиной 30–60 нм из чистого SiH4 и дальнейшем доращивании слоя при соотношении расходов газовых компонентов 2SiH4:1SiCl4, является наиболее предпочтительным методом изготовления структур КНС с толщиной слоя от 300 нм и более.
Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
ТЕХНОЛОГИЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ
MICRO- AND NANOELECTRONICS TECHNOLOGY
УДК 538.911
Исследование структурных свойств кремния на сапфире
в процессе гидридно-хлоридной газофазной гетероэпитаксии <...> Емельянов2
1АО «ЭПИЭЛ» (г. Москва)
2Национальный исследовательский университет «МИЭТ»
Study on Silicon on Sapphire Structural Properties
in Process of Hybrid-Chloride Gas-Phase Epitaxy
E.M. <...> Emelyanov2
1Epiel JSC, Moscow
2National Research University of Electronic Technology, Moscow
Методами атомно-силовой микроскопии и УФ-рассеяния исследована
поверхность эпитаксиальных слоев кремния на сапфире (КНС). <...> Исследования поверхности и структуры слоев КНС позволили определить,
что рост пленок осуществляется по механизму Странски – Крастанова. <...> Показано, что комбинированный метод, заключающийся в предварительном
наращивании слоя КНС толщиной 30–60 нм из чистого SiH4 и дальнейшем
доращивании слоя при соотношении расходов газовых компонентов
2SiH4:1SiCl4, является наиболее предпочтительным методом
изготовления структур КНС с толщиной слоя от 300 нм и более. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 21 3 2016
Исследование структурных свойств кремния на сапфире… synthesis secondary products has been considered and experimentally confirmed. <...> The studies on the SOS surface and layers structure have enabled to determine that the growth of films is realized according to the Stranski-Krastanov mechanism. <...> Элементы интегральных схем (ИС) на структурах КНС отличаются малыми потерями мощности, повышенным быстродействием, малым энергопотреблением и более высокой собственной частотой по сравнению с аналогами на объемном кремнии. <...> Электрические свойства структур КНС в основном зависят от структурных характеристик ГЭС: напряжений в кристаллической решетке кремния, вызванных различием коэффициентов термического расширения кремния и сапфира, ориентационной неоднородности ГЭС и дефектного переходного слоя вблизи интерфейса кремний–сапфир [3]. <...> Состояние приграничной области Si–Al2O3 определяет наличие глубоких энергетических уровней, образованных высокой плотностью поверхностных состояний интерфейса Si–Al2O3, которые нарушают работу ИС на КНС и приводят к уменьшению <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
Похожие документы:
РУАЭСТ (RUAEST)