Определение концентрации свободных носителей заряда в твердых растворах CdxHg1–xTe по спектрам отражения в дальней инфракрасной области

спектры отражения; твердые растворы CdxHg1–xTe; определение концентрации свободных носителей заряда; плазмон-фононное взаимодействие.

Оценка числа абонентов информационно-управляющей вычислительной системы с использованием ЛВС EtherCAT из условия обеспечения требуемой наработки на отказ системы, Исследование влияния электронного облучения на импульсную электрическую прочность диодов, ...

МЕТОДЫ И ТЕХНИКА ИЗМЕРЕНИЙ MEASUREMENT METHODS AND TECHNOLOGY УДК 621.315.592 Определение концентрации свободных носителей заряда в твердых растворах CdxHg1–xTe по спектрам отражения в дальней инфракрасной области <...> Lysenko2 1State Scientific Research and Design Institute of Rare Metal Industry GIREDMET, Moscow 2National Research University Higher School of Economics, Moscow Предложен бесконтактный неразрушающий метод определения концентрации свободных носителей заряда в монокристаллических образцах твердых растворов CdxHg1–xTe и многослойных эпитаксиальных гетероструктурах на их основе по спектрам отражения в дальней инфракрасной области. <...> На спектральной зависимости коэффициента отражения, полученной при комнатной температуре, определены характеристическая точка и отвечающее ей волновое число. <...> С помощью рассчитанных градуировочных кривых получено значение концентрации тяжелых дырок. <...> Показано, что при построении градуировочных кривых необходимо учитывать взаимодействие плазменных колебаний с продольными оптическими фононами. <...> Ключевые слова: спектры отражения; твердые растворы CdxHg1–xTe; определение концентрации свободных носителей заряда; плазмон-фононное взаимодействие. <...> Метод определения концентрации свободных носителей заряда (КСНЗ), основанный на анализе инфракрасных спектров отражения (плазменном резонансе), наиболее перспективен. <...> По характеристическим точкам на спектральной зависимости коэффициента отражения определяется значение плазменной частоты, по которому рассчитывается значение концентрации электронов или дырок в зависимости от типа электропроводности исследуемого образца. <...> Метод давно и широко используется применительно к сильно легированным полупроводникам с КСНЗ порядка 1018 см–3 1–5, а также к узкозонным твердым растворам. <...> Данный метод определения КСНЗ вообще вне конкуренции, если объектом исследования является эпитаксиальная структура (слой, выращенный на низкоомной подложке). <...> Поэтому путем послойного стравливания можно установить профиль <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт