Применение кремний-германиевой технологии для создания активных СВЧ-блоков АФАР

приемо-передающий модуль; активные фазированные антенные решетки; гетеробиполярный транзистор; фазовращатель аттенюатор.

Исследование интегрального МОП-транзистора для микромощных интегральных схем, Оценка числа абонентов информационно-управляющей вычислительной системы с использованием ЛВС EtherCAT из условия обеспечения требуемой наработки на отказ системы, ...

Efimov National Research University of Electronic Technology, Moscow Рассмотрена возможность использования новых технологий для реализации активных СВЧ-блоков приемо-передающих модулей. <...> Проведена оценка возможных достижимых параметров универсального управляющего кристалла Х-диапазона, реализованного по кремний-германиевой технологии. <...> Ключевые слова: приемо-передающий модуль; активные фазированные антенные решетки; гетеробиполярный транзистор; фазовращатель, аттенюатор. <...> В современных системах спутниковой связи и радиолокации используются активные фазированные антенные решетки (АФАР), выполненные по модульному принципу для снижения массогабаритных характеристик и возможности выполнения сложных тактико-технических системных требований. <...> В этой связи актуальной становится задача повышения интеграции и многофункциональности узлов АФАР. <...> В настоящей работе рассмотрены варианты выбора активных СВЧ-компонентов на примере приемо-передающего модуля (ППМ) АФАР Х-диапазона. <...> Для управления амплитудой в приемном и передающем каналах используются аттенюаторы (АТТ), а для управления фазой – 6-разрядные фазовращатели (ФВ). <...> Типовая схема приемо-передающего модуля АФАР Усилитель мощности (УМ) определяет уровень выходной мощности на выходе модуля в режиме передачи. <...> Необходимость ЗУ на входе приемного тракта определяется назначением системы. <...> Выбор схемы МШУ определяется требованиями по коэффициенту шума и динамическому диапазону входного сигнала. <...> Так, арсенид-галлиевые усилители в монолитном исполнении, построенные по схеме с автосмещением, обеспечивают коэффициент шума 1,5–2,0 дБ и гарантированно выдерживают непрерывную входную мощность 10 мВт или не менее 100 мВт в импульсном режиме. <...> Традиционная схема с двумя питаниями на основе транзисторов с высокой подвижностью электронов (РНЕМТ) позволяет получать коэффициент шума порядка 1,0 дБ, но менее устойчива к перегрузкам по входу, что требует установки защитного устройства <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт