РУАЭСТ (RUAEST)
Облако ключевых слов*
* - вычисляется автоматически
Недавно смотрели:
Высоковольтные модули с низкой внутренней индуктивностью для следующего поколения чипов — nHPD2
Для того чтобы получить преимущества от использования полупроводниковых приборов на основе полупроводников с широкой запрещенной зоной (WBG), необходимо снизить суммарное значение паразитной индуктивности системы. Новая технология Hitachi, ориентированная на концепцию мощных высоковольтных модулей, называется next High Power Density Dual, или HPD2. Технология предлагает не только резкое сокращение внутренней индуктивности (на 75% по сравнению с обычными модулями), но и увеличение удельной мощности по сравнению с модулями F-серии, представленными Hitachi в 2014 году. Тогда компании удалось добиться повышения удельной мощности на 20% в сравнении с аналогичными компонентами.
Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Мониторинг состояния трансформатора с помощью интеллектуального счетчика и катушек Роговского,
Бюджетные источники питания для светодиодных систем освещения APV/C-8E, APV/C-12E и APV/C-16E от Mean Well,
...
Резюме по документу**
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
Похожие документы: