Высокотемпературная транзисторная сборка SiC MOSFET 60 А/1200 В CHT-PLUTO от CISSOID

Компания CISSOID завершила разработку CHTPLUTO — транзисторной сборки на SiC MOSFET 60 А/1200 В. Модуль представляет собой герметичную сборку двух отдельных SiC-ключей 30 А/1200 В с диапазоном рабочих температур от –55 до +225 °C. Каждый MOSFET снабжен отдельным SiC-диодом Шоттки с малым прямым падением напряжения. Сопротивление канала в открытом состоянии составляет 45 мОм при +25 °C и 100 мОм при +225 °C.

• Технические науки. Промышленность