Дискретные устройства и модульные компоненты на основе карбида кремния, производимые компанией Microsemi

Применение новых широкозонных полупроводников при проектировании и производстве приборов силовой электроники позволяет добиться значительного улучшения их рабочих характеристик с одновременным уменьшением массогабаритных показателей. В данной статье рассматриваются технические параметры дискретных устройств и высоконадежных модулей производства компании Microsemi, изготавливаемых на основе одного из наиболее популярных материалов — карбида кремния (SiC).

• Верхулевский

• Технические науки. Промышленность