РУАЭСТ (RUAEST)
Облако ключевых слов*
* - вычисляется автоматически
Недавно смотрели:
Фотоэлектрические характеристики МФПУ на основе эпитаксиальных слоев антимонида индия на высоколегированной подложке
Исследованы фотоэлектрические характеристики матричного фотоприемного устройства формата 320×256 элементов с шагом 30 мкм с фоточувствительным элементом, изготовленным в эпитаксиальном слое антимонида индия на высоколегированной подложке. Среднее значение эквивалентной шуму разности температур при относительном отверстии диафрагмы 1:0,94 и времени накопления 1,46 мс составило 10,5 мК, количество дефектных элементов — 0,12 %, время корректируемости — более трех часов. Проведено сравнение данного МФПУ с аналогичными серийными МФПУ на основе объемного антимонида индия.
Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Об оценке параметров плазменных потоков в технологических импульсных ускорителях для модификации поверхностей конструкционных материалов,
Исследование динамики развития релятивистских плазменных образований в длинном пробкотроне методами фотохронографии, рентгенографии и моделирования,
...
Резюме по документу**
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
Похожие документы: