Мощные белые светодиоды с улучшенными параметрами
Разработаны конструкции и технологии производства мощных белых светодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN, покрытых люминофором, которые являются шагом вперед по сравнению с прежними достижениями. Описанные в настоящей работе мощные белые СД перспективны для создания светотехнических изделий с СД с высокой световой отдачей, дающих значительное энергосбережение.
Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
М.В. Ломоносова
Разработаны конструкции и технологии
производства мощных белых
светодиодов (СД) на основе гетероструктур
InGaN/AlGaN/GaN, покрытых люминофором, которые являются
шагом вперед по сравнению с
нашими прежними достижениями,
освещенными в [1–5]. <...> Для увеличения светового
потока в СД устанавливаются
несколько кристаллов, соединенных
последовательно или последовательно-параллельно. <...> Разработан
узел, содержащий люминофор,
обеспечивающий результирующее
белое излучение с цветовой температурой
(4500–7000) К. <...> Для эф1 По материалам доклада на 9-м семинаре-выставке
«День светотехника Москвы»
1 марта 2007 г. E-mail: levkogan@mail.ru фективного вывода излучения и
формирования заданного фотометрического
тела СД в диапазоне углов
излучения (2 05ē , ) (20–120) СД содержат полимерную полусферическую
линзу с показателем преломления <...> Для получения узкого фотометрического тела с 2 05ē , = = (10–15) и снижения потерь на сферическую аберрацию применен
эллиптический полимерный купол,
в котором кристалл находится во
втором от вершины купола фокусе
эллипса. <...> Для получения кругового
излучения полимерный корпус содержит
встроенный отражатель, основанный
на принципе полного
внутреннего отражения света. <...> ) нами использовались
кристаллы фирм
Epistar и Bridgelux с размерами 11ƀ мм и 1,5 ƀ1,5 мм на сапфировой подложке. <...> В настоящей работе использовались новые «синие» кристаллы
фирмы Cree на кремниевой
подложке с размерами 1 ƀ1 мм, с диффузно-рассеивающей световыводящей
поверхностью и с отражателем
света на границе InGaN и кремния. <...> Зависимости потока излучения
@pe ), внешнего квантового выхода
излучения (Ąвн)ипрямогонапряжения
(Uпр)от I пр синего СД типа У-345С-2, с полимерной линзой (n Ƈ 1,55), приведены на рис. <...> Для получения белого излучения
нами использовались люминофоры
на основе алюмоиттриевых гранатов <...> Зависимости потока излучения
()pe , внешнего квантового выхода излучения
()Ąвн и прямого напряжения()Uпр от
прямого тока ()Iпр синего СД типа
У-345С-2. <...> Цифрами отмечено <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
Похожие документы: