Разработка эталонного инфракрасного излучателя с планарной структурой
Ожидается, что углеродные нанотрубки (УНТ), используемые в качестве поглотителей оптического излучения, будут обладать большим коэффициентом излучения в инфракрасной (ИК) области спектра. Это соответствует закону Кирхгофа и обусловлено тем, что благодаря своей обеспечивающей многократные отражения структуре они обладают высокой спектральной поглощающей способностью в видимой области. Кроме того, благодаря планарности излучателей с УНТ, можно ожидать что они будут иметь малые размеры, вес и энергопотребление и большую площадь. Задача данного исследования заключалась в разработке на основе УНТ эталонного ИК излучателя с планарной структурой. УНТ нагревали плоским нагревателем и исследовали как вторичный источник излучения. При предполагаемой температуре нагрева 200 оС измеренные в девяти точках поверхностные температуры лежали в пределах 200, 5 + 0, 5 оС. К тому же, спектральный коэффициент излучения в диапазоне длин волн от 4 до 10 мкм оказался равным 0, 92 + 0, 01. Это показывает, что новый излучатель имеет такие же присущие эталонным ИК излучателям характеристики как и ранее разработанный керамический цилиндрический излучатель на основе SiC. УНТ окисляются после нагрева до 250 оС на воздухе, и поэтому не подходит для измерений коэффициентов излучения с точностью 1 % на меньших 4 мкм длинах волн. На поверхность УНТ наносят золото. При толщине золотой пленки 100 нм не окисляется вся подложка иУНТ не окисляются при нагреве до 350 оС. При этом можно измерять коэффициенты излучения в диапазоне длин волн от 10 до 2, 5 мкм с точностью 1 %.
Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
Разработка эталонного инфракрасного
излучателя с планарной структурой
ТАМАКИ ЙАДЖИ, СУНСУКЕ МИЦУМА1, ФУМИО ОТАНИ, ХИДЕКАЦУ
УЧИДА, Ю ХАРАДА, ЮКИ ХАСЕГАВА
Научно-техническая аспирантура Саитамского университета, Япония
Аннотация
Ожидается, что углеродные наноствтрубки
(УНТ), используемые в каче1
е
поглотителей оптического излучения,
будут обладать большим коэффициентом
излучения в инфракрасвной
(ИК) области спектра. <...> Задача данного исследования
заключалась в разработке на основе
УНТ эталонного ИК излучателя с планарной
структурой. <...> УНТ нагревали
плоским нагревателем и исследовали
как вторичный источник излучения. <...> При предполагаемой температуре
нагрева 200 оС измеренные в девяти
точках поверхностные температуры
лежали в пределах 200,5 0,5 оС. <...> К тому же, спектральный коэффициоент
излучения в диапазоне длин волн
0,01. <...> Введение
По мере непрерывного расширения
применения инфракрасного (ИК)
излучения возрастает и потребность
в измерении его характеристик, притчём
для проведения таких измерений
чаребуется наличие эталонного излутеля,
характеризующегося равномерным
распределением температуры
поверхности и постоянным значением
спектрального коэффициента
излучения. <...> В качестве эталонных ИК
излучателей в диапазоне длин волн от
0,25 до 2,5 мкм в настоящее время исгпользуются
ГЛН, которые не вполне
ИК ободятся для использования в дальней
чатель имеет такие же присущие эталонным
ИК излучателям характеристики,
как и ранее разработанный керамический
цилиндрический излучатель
на основе SiC. <...> УНТ окисляются
после нагрева до 250 оС на воздуний
кхе, и поэтому не подходят для измереоэффициентов
излучения с точвностью
1 % на меньших 4 мкм длинах
ся вся подлож1
По материалам доклада на 6-й Международной
светотехнической конференции
стран Тихоокеанского региона LUX
PACIFICA 2009, 23–25 апреля 2009 г.,
Бангкок. <...> На поверхность УНТ наносят
ки 100 нм не окисляетолото. <...> В качестве эталонного
ИК излучателя нами ранее был разработан <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
Похожие документы: