РУАЭСТ (RUAEST)
Облако ключевых слов*
* - вычисляется автоматически
Недавно смотрели:
Гетероструктуры GaN от Plessey Semiconductors — технология, продукты, перспективы
В статье рассматривается технология выращивания гетероструктур на основе нитрида галлия и его твердых растворов на кремниевых подложках, отрабатываемая в последнее время компанией Plessey Semiconductor Ltd. Приведен краткий обзор светодиодных кристаллов на основе указанных гетероструктур, недавно представленных компанией на рынок, а также описывается новое направлениt работы, которое уже в ближайшем будущем может вывести ее в лидеры среди производителей компонентов на основе гетроструктур нитрида галлия и его твердых растворов.
Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Системы тестирования LED-ламп и источников питания для промышленной светотехники производства Chroma ATE,
Наружное освещение: баланс между привлекательностью и пользой,
...
Резюме по документу**
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
Похожие документы: