РУсскоязычный Архив Электронных СТатей периодических изданий
Полупроводниковая светотехника/2016/№ 2/

Гетероструктуры GaN от Plessey Semiconductors — технология, продукты, перспективы

В статье рассматривается технология выращивания гетероструктур на основе нитрида галлия и его твердых растворов на кремниевых подложках, отрабатываемая в последнее время компанией Plessey Semiconductor Ltd. Приведен краткий обзор светодиодных кристаллов на основе указанных гетероструктур, недавно представленных компанией на рынок, а также описывается новое направлениt работы, которое уже в ближайшем будущем может вывести ее в лидеры среди производителей компонентов на основе гетроструктур нитрида галлия и его твердых растворов.

Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы: