ВЛИЯНИЕ РАДИОАКТИВНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА КОМПОНЕНТЫ EEPROM. МЕТОДЫ ЗАЩИТЫ ДАННЫХ

Цифровая память является одним из основных элементов современных вычислительных систем. Сегодня буквально в каждом приборе имеется миниатюрная микросхема, на которой обязательно присутствует тот или иной цифровой носитель и потому неудивительно, что современная микроэлектроника не обошла стороной и военно-космическую отрасль. Однако требования, предъявляемые к микросхемам военного и космического назначения значительно отличаются от требований к приборам, находящимся у нас в квартирах и даже за окном. Высокая температура и воздействие радиации – вот факторы, которым должна противостоять микросхема военного назначения. С развитием полупроводниковых технологий, когда постоянно уменьшаются размеры и напряжение питания интегральных схем (ИС), а тактовая частота растет, задача повышения радиационной стойкости становится очень важной. Ее решение требует принятия мер на всех уровнях разработки ИС: синтеза и верификации, трассировки шин питания, конструирования библиотечных элементов схем, технологического процесса изготовления. Однако эти методы не могут привести к 100% вероятности безошибочного хранения и считывания информации, а значит, требуют дополнительных средств обнаружения дефектов и сбоев. Методом повышения отказоустойчивости устройств памяти является использование помехоустойчивых кодов. Тема данной статьи – исследование влияния радиоактивного излучения на энергонезависимую память и методы защиты данных. Одним из методов является создание блока коррекции ошибок на основе кода Хэмминга, о нем речь пойдет во втором разделе.

• Халирбагинов Р.И.

• Технические науки. Промышленность
• Естественные науки
• Социальные (общественные) науки
• Физико-математические науки
• География. История.
• Науки о человеке
• Гуманитарные науки