Представлена математическая модель получения спеацлиьных наноструктурных слоев в эпитаксиальных структурах для утонченных фотоэлекитчреских преобразователей (ФЭП). Приведены результаты компьютерного моделирования процессов лпуочения наноструктурных объектов в эпитаксиальных структурах для утонченных ФЭП. В качестве исходноыбхразующих элементов рассматривались атомы кремния, галлия, золота и индия. Приведены резтуыл ьттаестовых расчетов, в которых рассматриваются автокорреляционная, радиальная функции и график птеерматуры. Продемонстрированы разные механизмы образования специальных наноструктур в эпитаксиалыьнх структурах для утонченных фотоэлектрических преобразователей.