Электрооптика полупроводниковой квантовой ямы с D{ (-) }-центрами
Теоретически исследовано примесное электрооптическое поглощение в параболической квантовой яме с равномерным распределением примесных центров по координатам. Показано, что квантово-размерный эффект Штарка проявляется в красном смещении края полосы примесного поглощения, а также в значительном увеличении силы осциллятора оптического перехода с ростом напряженности электрического поля.
Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
В. Д. Кревчик, Е. Н. Калинин, С. В. Яшин, С. Е. Игошина
ЭЛЕКТРООПТИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ
КВАНТОВОЙ ЯМЫ С
D -ЦЕНТРАМИ
Теоретически исследовано примесное электрооптическое поглощение в
параболической квантовой яме с равномерным распределением примесных
центров по координатам. <...> Показано, что квантово-размерный эффект Штарка
проявляется в красном смещении края полосы примесного поглощения, а также
в значительном увеличении силы осциллятора оптического перехода с ростом
напряженности электрического поля. <...> Введение
В последние годы наблюдается возрастающий интерес к исследованию
влияния эффектов электрического поля на свойства полупроводниковых систем
с пониженной размерностью [1, 2]. <...> Этот интерес обусловлен прежде всего
тем, что в таких системах имеется высокая степень свободы в управлении зонной
структурой, примесными состояниями и оптическими свойствами с помощью
внешнего и внутреннего встроенного электрического поля [1]. <...> Так, в случае
квантовой ямы (КЯ) электрическое поле, направленное вдоль оси размерного
квантования, модифицирует электронный спектр и волновые функции,
что приводит к появлению максимумов в зависимости вероятности оптических
переходов от электрического поля [2]. <...> Эксперименты по влиянию внешнего
поля на вероятность оптических переходов в КЯ на основе InxGa1–xAs/GaAs
подтвердили сильные и нетривиальные изменения вероятности оптических
переходов под действием электрического поля [2]. <...> Модификация примесных
состояний в наноструктурах во внешнем электрическом поле открывает новые
возможности для исследования квантово-размерного эффекта Штарка в
спектрах примесного электропоглощения низкоразмерных систем. <...> Это актуально,
поскольку эффект Штарка в легированных полупроводниковых наноструктурах
представляет собой новое физическое явление с потенциальными
возможностями приборных приложений. <...> Цель данной работы состоит в вычислении
спектра
к ее оси роста однородного <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
Похожие документы: