Электрооптика полупроводниковой квантовой ямы с D{ (-) }-центрами

электрооптика квантовые ямы полупроводниковые квантовые ямы примесные электрооптические поглощения электрооптические поглощения квантово-размерный эффект Штарка Штарка квантово-размерный эффект красное смещение примесных поглощений примесные поглощения осцилляторы оптических переходов оптические переходы электрические поля эффекты поляризации

Эффект когерентной передачи квантовой информации в системе двух кубитов, Применение итерационного процесса сжимающих отображений к решению нелинейной задачи о собственных волнах цилиндрического волновода в первом приближении, ...

В. Д. Кревчик, Е. Н. Калинин, С. В. Яшин, С. Е. Игошина ЭЛЕКТРООПТИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ КВАНТОВОЙ ЯМЫ С D -ЦЕНТРАМИ Теоретически исследовано примесное электрооптическое поглощение в параболической квантовой яме с равномерным распределением примесных центров по координатам. <...> Показано, что квантово-размерный эффект Штарка проявляется в красном смещении края полосы примесного поглощения, а также в значительном увеличении силы осциллятора оптического перехода с ростом напряженности электрического поля. <...> Введение В последние годы наблюдается возрастающий интерес к исследованию влияния эффектов электрического поля на свойства полупроводниковых систем с пониженной размерностью [1, 2]. <...> Этот интерес обусловлен прежде всего тем, что в таких системах имеется высокая степень свободы в управлении зонной структурой, примесными состояниями и оптическими свойствами с помощью внешнего и внутреннего встроенного электрического поля [1]. <...> Так, в случае квантовой ямы (КЯ) электрическое поле, направленное вдоль оси размерного квантования, модифицирует электронный спектр и волновые функции, что приводит к появлению максимумов в зависимости вероятности оптических переходов от электрического поля [2]. <...> Эксперименты по влиянию внешнего поля на вероятность оптических переходов в КЯ на основе InxGa1–xAs/GaAs подтвердили сильные и нетривиальные изменения вероятности оптических переходов под действием электрического поля [2]. <...> Модификация примесных состояний в наноструктурах во внешнем электрическом поле открывает новые возможности для исследования квантово-размерного эффекта Штарка в спектрах примесного электропоглощения низкоразмерных систем. <...> Это актуально, поскольку эффект Штарка в легированных полупроводниковых наноструктурах представляет собой новое физическое явление с потенциальными возможностями приборных приложений. <...> Цель данной работы состоит в вычислении спектра к ее оси роста однородного <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт