Тонкие оксидные пленки вольфрама находят применение в таких физико-химических приложениях, как гетерогенный катализ, электрохромные устройства, газовые сенсоры. Свойства тонких оксидных пленок в значительной степени зависят от структуры, морфологии и химического состава, от способа их получения. Ионное облучение используют для послойного анализа поверхностных слоев и для модифицирования поверхности твердого тела. Так, установлено, что в результате ионного облучения поверхности металлов и оксидов происходит окисление или восстановление поверхности. Целью настоящей работы является определение стехиометрии и толщины оксидных наноструктур вольфрама, синтезированных в результате облучения поверхности металла ионами кислорода в вакууме, по данным рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС).