В работе рассмотрены процессы образования хромитов ряда переходных элементов. Подтверждено влияние строения электронной оболочки ионов переходных элементов, участвующих в процессах формирования структуры, на скорость шпинелеобразования. Отмечено, что в случае образования шпинели с высоким значением энергии стабилизации кристаллическим полем следует ожидать получения более прочного соединения и замедления диффузионных процессов.