Исследование поверхностных состояний в фотоэлектрических преобразователях солнечной энергии на основе гетероструктуры CdS/Si (p)

гетероструктуры фотоэлектрические преобразователи глубокие уровни релаксационная спектроскопия поверхностные состояния релаксация тока релаксационные сигналы

Численное решение краевых задач для линейных и квазилинейных уравнений эллиптического типа в области с фрактальной границей, Построение математических моделей гетерогенных структур с использованием декомпозиционного подхода, ...

В. В. Трегулов, В. А. Степанов ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТНЫХ СОСТОЯНИЙ В ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ СОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГИИ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ CdS/Si(p) Аннотация. <...> Представлен метод измерения спектра энергетической плотности поверхностных состояний в фотоэлектрических преобразователях солнечной энергии на основе гетероструктур. <...> Приведены результаты исследования поверхностных состояний в гетероструктуре CdS/Si(p), изготовленной методом гидрохимического осаждения. <...> Введение Гетероструктура CdS/Si(p) может применяться в качестве эффективного фотоэлектрического преобразователя (ФЭП) солнечной энергии. <...> Изготовление ФЭП на основе гетероперехода между широкозонным полупроводником (CdS), играющим роль оптического окна, и узкозонным полупроводником (Si), используемым в качестве поглощающего слоя, позволяет минимизировать потери носителей заряда за счет поверхностной рекомбинации. <...> При хорошем согласовании параметров кристаллических решеток узкозонного и широкозонного полупроводников гетероструктурный ФЭП имеет высокую эффективность [1]. <...> Теоретическое значение эффективности ФЭП на основе гетероструктуры CdS/Si(p) может составлять 24 % [2]. <...> Традиционно в микроэлектронике для формирования пленок CdS используются следующие технологии: молекулярно-лучевая эпитаксия, осаждение из металлoорганических соединений, сублимация в закрытом объеме <...> Эти методы позволяют получать монокристаллические пленки CdS высокого качества. <...> С целью снижения стоимости ФЭП для формирования пленки CdS на поверхности кремниевой подложки в данной работе использовался метод гидрохимического осаждения [3]. <...> При этом формируются поликристаллические пленки CdS, содержащие большее количество дефектов по сравнению с вышеперечисленными методами [3]. <...> На гетерогранице CdS/Si(p) возникают поверхностные состояния с глубокими энергетическими уровнями (ГУ). <...> Причиной появления ГУ на гетерогранице авторы [1] считают несоответствие параметров <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт