Электродинамический анализ зон пропускания и запрещенных зон в спектре оптического фильтра на основе фотонного кристалла

математическое моделирование электромагнитные волны дифракция электромагнитных волн фотонные кристаллы оптические фильтры опаловые матрицы оптическое излучение декомпозиционный метод

Переход металл-диэлектрик в периодической модели Андерсона-Хаббарда в случае 3-кратного вырождения, Многоаспектная минимизация недетерминированных конечных автоматов, ...

О. А. Голованов, Г. С. Макеева, А. С. Николенко ЭЛЕКТРОДИНАМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ЗОН ПРОПУСКАНИЯ И ЗАПРЕЩЕННЫХ ЗОН В СПЕКТРЕ ОПТИЧЕСКОГО ФИЛЬТРА НА ОСНОВЕ ФОТОННОГО КРИСТАЛЛА Аннотация. <...> Проведено математическое моделирование дифракции электромагнитной волны на 3D-фотонно-кристаллической структуре декомпозиционным методом автономных блоков с каналами Флоке. <...> Получены результаты электродинамического расчета коэффициента прохождения оптического излучения через оптический фильтр – 3D-фотонно-кристаллическую структуру на основе опаловой матрицы – в зависимости от частоты при различной толщине фотонного кристалла. <...> Введение Оптические свойства фотонных кристаллов, в том числе положения запрещенной фотонной зоны (полосы непропускания электромагнитной энергии), зависят от периода, а глубина запрещенной зоны от совершенства структуры матрицы [1]. <...> В настоящее время достаточно отработана технология изготовления фотонных кристаллов на основе опаловой матрицы из наносфер двуокиси кремния SiO 2 [2]. <...> Для того чтобы изготовить оптический фильтр с требуемыми свойствами, необходимо провести анализ прохождения оптического излучения через решетку опаловой матрицы ограниченных размеров в зависимости от периода решетки (размера наносфер SiO2). <...> Дифракция электромагнитной волны на 3D-фотонно-кристаллической структуре (при нормальном падении): 1с – амплитуда падающей волны; с 1 – амплитуда отраженной волны; 2с амплитуда прошедшей волны; 1о 1z , о 2 2z – локальные системы координат В результате дифракции электромагнитной волны на 3D-фотоннокристаллической структуре появляются отраженная волна с амплитудой 1с и прошедшая волна с амплитудой 2с . <...> Прохождение электромагнитной волны через фотонно-кристаллическую структуру на различных частотах характеризуется коэффициентом прохождения, который определяется следующим образом: kпр . с 2 с1 Коэффициент прохождения принимает значения от пр 0 <...> 1,б) расчленяем <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт