Электродинамический анализ зон пропускания и запрещенных зон в спектре оптического фильтра на основе фотонного кристалла

математическое моделирование электромагнитные волны дифракция электромагнитных волн фотонные кристаллы оптические фильтры опаловые матрицы оптическое излучение декомпозиционный метод

Моделирование экономической деятельности малых предприятий, Распространение гармонических волн в пластинке переменной толщины, ...

О. А. Голованов, Г. С. Макеева, А. С. Николенко ЭЛЕКТРОДИНАМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ЗОН ПРОПУСКАНИЯ И ЗАПРЕЩЕННЫХ ЗОН В СПЕКТРЕ ОПТИЧЕСКОГО ФИЛЬТРА НА ОСНОВЕ ФОТОННОГО КРИСТАЛЛА Аннотация. <...> Проведено математическое моделирование дифракции электромагнитной волны на 3D-фотонно-кристаллической структуре декомпозиционным методом автономных блоков с каналами Флоке. <...> Получены результаты электродинамического расчета коэффициента прохождения оптического излучения через оптический фильтр – 3D-фотонно-кристаллическую структуру на основе опаловой матрицы – в зависимости от частоты при различной толщине фотонного кристалла. <...> Введение Оптические свойства фотонных кристаллов, в том числе положения запрещенной фотонной зоны (полосы непропускания электромагнитной энергии), зависят от периода, а глубина запрещенной зоны от совершенства структуры матрицы [1]. <...> В настоящее время достаточно отработана технология изготовления фотонных кристаллов на основе опаловой матрицы из наносфер двуокиси кремния SiO 2 [2]. <...> Для того чтобы изготовить оптический фильтр с требуемыми свойствами, необходимо провести анализ прохождения оптического излучения через решетку опаловой матрицы ограниченных размеров в зависимости от периода решетки (размера наносфер SiO2). <...> Дифракция электромагнитной волны на 3D-фотонно-кристаллической структуре (при нормальном падении): 1с – амплитуда падающей волны; с 1 – амплитуда отраженной волны; 2с амплитуда прошедшей волны; 1о 1z , о 2 2z – локальные системы координат В результате дифракции электромагнитной волны на 3D-фотоннокристаллической структуре появляются отраженная волна с амплитудой 1с и прошедшая волна с амплитудой 2с . <...> Прохождение электромагнитной волны через фотонно-кристаллическую структуру на различных частотах характеризуется коэффициентом прохождения, который определяется следующим образом: kпр . с 2 с1 Коэффициент прохождения принимает значения от пр 0 <...> 1,б) расчленяем <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт