Математическое моделирование процесса намагничивания цилиндрического сверхпроводника в модели Бина

модель Бина Бина модель жесткие проводники второго рода намагничивание цилиндрические сверхпроводники распределение экранирующего сверхтока гистерезис намагниченности

Многоаспектная минимизация недетерминированных конечных автоматов, Оптические свойства квантовой проволоки с одномерной сверхрешеткой из потенциалов нулевого радиуса во внешнем электрическом поле, ...

Н. Д. Кузьмичев, А. А. Федченко МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА НАМАГНИЧИВАНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКОГО СВЕРХПРОВОДНИКА В МОДЕЛИ БИНА Аннотация. <...> Смоделирован процесс намагничивания жестких сверхпроводников второго рода в форме цилиндров конечной длины, находящихся в критическом состоянии, в рамках приближения Бина с учетом искривления линий магнитного поля. <...> На основе найденной модели рассчитаны полная напряженность магнитного поля, петля гистерезиса намагниченности и распределение экранирующего сверхтока для образцов вышеуказанной формы в разных случаях. <...> Ключевые слова: жесткий сверхпроводник второго рода, критическое состояние, модель Бина, интегральные уравнения, задача оптимизации, распределение экранирующего сверхтока, гистерезис намагниченности. <...> В простейших расчетах намагниченности жестких сверхпроводников второго рода, находящихся в критическом состоянии, принимается полная экранировка внешнего поля в центре образца или на его оси, например цилиндра или пластины. <...> В работах Брандта (например в [5]) численным методом решения интегрального уравнения второго рода получены численные распределения сверхтока в цилиндрах любой длины (двумерный случай). <...> Для этого интегральное уравнение первого рода было сведено к уравнению второго рода путем задания явного вида вольтамперной характеристики сверхпроводника с помощью уравнений электродинамики, описывающих сверхпроводник. <...> Постановка задачи и модель расчета В настоящей работе найдено приближенное аналитическое решение интегрального уравнения, описывающего распределение экранирующего сверхтока, и численно смоделирован процесс проникновения магнитного поля в короткий цилиндр жесткого сверхпроводника второго рода, находящегося в критическом состоянии в рамках модели Бина [1] с учетом искривления силовых линий магнитного поля (двумерный случай). <...> Изменение магнитного потока внутри указанного сверхпроводника вызывает <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт