Особенности диссипативного туннелирования в квантовой молекуле с учетом двух фононных мод диэлектрической матрицы

диссипативное туннелирование 1D-туннелирование квантовые молекулы квантовые точки внешнее электрическое поле электрическое поле фононные моды среда-термостат диэлектрические матрицы

Усиленное оптическое пропускание композитных наноструктурных толстых пленок с квазинулевым показателем преломления (I. Экспериментальные данные), Субиерархический метод решения задачи дифракции электромагнитных волн на неплоских экранах сложной геометрической формы с использованием базисных функций крышек, ...

Ямамото, В. А. Рудин, П. В. Кревчик, И. А. Егоров ОСОБЕННОСТИ ДИССИПАТИВНОГО ТУННЕЛИРОВАНИЯ В КВАНТОВОЙ МОЛЕКУЛЕ С УЧЕТОМ ДВУХ ФОНОННЫХ МОД ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ МАТРИЦЫ1 Аннотация. <...> Рассматривается модель 1D-диссипативного туннелирования для структур из квантовых точек в системе совмещенного АСМ/СТМ в условиях внешнего электрического поля. <...> Найдено, что влияние двух локальных мод матрицы среды термостата на вероятность 1D-диссипативного туннелирования приводит к появлению нескольких неэквидистантных пиков в соответствующей полевой зависимости. <...> Полученная теоретическая зависимость качественно согласуется с экспериментальной вольт-амперной характеристикой контакта АСМ зонда к поверхности квантовой точки из InAs. <...> The obtained theoretical dependence qualitatively corresponds to experimental VAC for the AFM cantilever contact to the surface of a quantum dot from InAs. <...> В последние годы активизировались исследования управляемых туннельных эффектов в системах полупроводниковых квантовых точек (КТ), квантовых молекул (КМ) и взаимодействующих КМ, а также в экспериментах с СТМ/АСМ при исследовании параметров низкоразмерных структур из металлических КТ. <...> Данная работа была инициирована проведенным в [10] экспериментом по измерению туннельных вольт-амперных характеристик (ВАХ) в полупроводниковых InAs КТ, где были обнаружены несколько неэквидистантных пиков, интерпретированных нами ранее в рамках модели 1D-диссипативного туннелирования с учетом одной локальной фононной моды. <...> В связи с этим в данной работе рассматривается модель 1D-диссипативного туннелирования с учетом влияния двух промотирующих фононных мод матрицы среды термостата для процесса туннелирования через структуру единичных квантовых точек в системе совмещенного АСМ/СТМ. <...> Проводится качественное сравнение теоретической кривой вероятности 1D-туннелирования с ВАХ контакта АСМ зонда к поверхности КТ из InAs (совместная работа «Визуализация локальной плотности состояний в квантовых точках InAs/GaAs методом комбинированной <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт