Особенности примесной зоны в квантовой проволоке, образованной регулярной цепочкой D{0}-центров с резонансными состояниями, во внешнем магнитном поле

внешнее магнитное поле дисперсионные уравнения диссипативное туннелирование квантовые проволоки магнитное поле примесные зоны резонансные состояния электроны

О ненадежности схем из функциональных элементов, подверженных двум типам неисправностей, Фотомагнитный эффект в квантовой проволоке с одномерной сверхрешеткой из потенциалов нулевого радиуса, ...

В. Д. Кревчик, А. В. Разумов, Т. А. Губин ОСОБЕННОСТИ ПРИМЕСНОЙ ЗОНЫ В КВАНТОВОЙ ПРОВОЛОКЕ, ОБРАЗОВАННОЙ РЕГУЛЯРНОЙ ЦЕПОЧКОЙ D0-ЦЕНТРОВ С РЕЗОНАНСНЫМИ СОСТОЯНИЯМИ, ВО ВНЕШНЕМ МАГНИТНОМ ПОЛЕ1 Аннотация. <...> Полупроводниковые квантовые проволоки с примесной зоной перспективны с точки зрения создания на их основе новых источников стимулированного излучения на примесных переходах, а также фотоприемников ИК-излучения с управляемой чувствительностью. <...> Целью данной работы является теоретическое исследование влияния внешнего магнитного поля на ширину примесной зоны, образованной регулярной цепочкой 0D -центров с резонансными состояниями электрона в квантовой проволоке. <...> Кривые зависимости ширины примесной зоны от величины внешнего магнитного поля и периода регулярной цепочки 0D -центров построены для случая квантовой проволоки на основе InSb. <...> Показано, что с ростом величины внешнего магнитного поля ширина примесной зоны с резонансными состояниями уменьшается из-за уменьшения степени перекрытия одноцентровых волновых функций. <...> Выявлена достаточно высокая чувствительность ширины примесной зоны, образованной регулярной цепочкой 0D -центров с резонансными состояниями примесного электрона в квантовой проволоке к параметрам диссипативного туннелирования: с ростом температуры и частоты фононной моды ширина примесной зоны увеличивается за счет увеличения вероятности диссипативного туннелирования, а с ростом константы взаимодействия с контактной средой ширина примесной зоны уменьшается, что связано с блокировкой туннельного распада. <...> Выявлена возможность эффективного управления шириной примесной зоны, образованной регулярной цепочкой 0D -центров с резонансными состояниями связанного электрона посредством варьирования величины внешнего магнитного поля и параметров диссипативного туннелирования. <...> Ключевые слова: квантовая проволока, примесная зона с резонансными состояниями электрона, магнитное <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт