Особенности примесной зоны в квантовой проволоке, образованной регулярной цепочкой D{0}-центров с резонансными состояниями, во внешнем магнитном поле
Полупроводниковые квантовые проволоки с примесной зоной перспективны с точки зрения создания на их основе новых источников стимулированного излучения на примесных переходах, а также фотоприемников ИК-излучения с управляемой чувствительностью. Целью данной работы является теоретическое исследование влияния внешнего магнитного поля на ширину примесной зоны, образованной регулярной цепочкой D{0} -центров с резонансными состояниями электрона в квантовой проволоке.
Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
В. Д. Кревчик, А. В. Разумов, Т. А. Губин
ОСОБЕННОСТИ ПРИМЕСНОЙ ЗОНЫ В КВАНТОВОЙ
ПРОВОЛОКЕ, ОБРАЗОВАННОЙ РЕГУЛЯРНОЙ ЦЕПОЧКОЙ
D0-ЦЕНТРОВ С РЕЗОНАНСНЫМИ СОСТОЯНИЯМИ,
ВО ВНЕШНЕМ МАГНИТНОМ ПОЛЕ1
Аннотация. <...> Полупроводниковые квантовые
проволоки с примесной зоной перспективны с точки зрения создания на
их основе новых источников стимулированного излучения на примесных переходах,
а также фотоприемников ИК-излучения с управляемой чувствительностью. <...> Целью данной работы является теоретическое исследование влияния
внешнего магнитного поля на ширину примесной зоны, образованной регулярной
цепочкой 0D -центров с резонансными состояниями электрона в квантовой
проволоке. <...> Кривые зависимости ширины примесной
зоны от величины внешнего магнитного поля и периода регулярной
цепочки 0D -центров построены для случая квантовой проволоки на основе
InSb. <...> Показано, что с ростом величины внешнего магнитного поля ширина
примесной зоны с резонансными состояниями уменьшается из-за уменьшения
степени перекрытия одноцентровых волновых функций. <...> Выявлена достаточно
высокая чувствительность ширины примесной зоны, образованной
регулярной цепочкой 0D -центров с резонансными состояниями примесного
электрона в квантовой проволоке к параметрам диссипативного туннелирования:
с ростом температуры и частоты фононной моды ширина примесной зоны
увеличивается за счет увеличения вероятности диссипативного туннелирования,
а с ростом константы взаимодействия с контактной средой ширина
примесной зоны уменьшается, что связано с блокировкой туннельного распада. <...> Выявлена возможность эффективного управления шириной примесной
зоны, образованной регулярной цепочкой 0D -центров с резонансными
состояниями связанного электрона посредством варьирования величины
внешнего магнитного поля и параметров диссипативного туннелирования. <...> Ключевые слова: квантовая проволока, примесная зона с резонансными состояниями
электрона, магнитное <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
Похожие документы: