Фотомагнитный эффект в квантовой проволоке с одномерной сверхрешеткой из потенциалов нулевого радиуса
Эффект фотонного увлечения несет ценную информацию о зонной структуре и механизмах релаксации импульса носителей заряда в полупроводниковых низкоразмерных системах. С точки зрения приборных приложений этот эффект может быть использован для создания детекторов лазерного излучения на основе наноструктур, которые представляют широкие возможности управления как зонным спектром, так и примесными состояниями (локализованными и резонансными). Цель данной работы состоит в теоретическом исследовании особенностей эффекта фотонного увлечения электронов, связанных с наличием примесной зоны, образованной резонансными состояниями электрона в поле регулярной цепочки D{0}-центров в квантовой проволоке при наличии внешнего продольного магнитного поля.
Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
В. Д. Кревчик, А. В. Разумов, Т. А. Губин
ФОТОМАГНИТНЫЙ ЭФФЕКТ В КВАНТОВОЙ
ПРОВОЛОКЕ С ОДНОМЕРНОЙ СВЕРХРЕШЕТКОЙ
ИЗ ПОТЕНЦИАЛОВ НУЛЕВОГО РАДИУСА1
Аннотация. <...> Эффект фотонного увлечения несет ценную
информацию о зонной структуре и механизмах релаксации импульса носителей
заряда в полупроводниковых низкоразмерных системах. <...> С точки зрения
приборных приложений этот эффект может быть использован для создания
детекторов лазерного излучения на основе наноструктур, которые представляют
широкие возможности управления как зонным спектром, так и примесными
состояниями (локализованными и резонансными). <...> Цель данной работы
состоит в теоретическом исследовании особенностей эффекта фотонного
увлечения электронов, связанных с наличием примесной зоны, образованной
резонансными состояниями электрона в поле регулярной цепочки 0D -центров
в квантовой проволоке при наличии внешнего продольного магнитного поля. <...> Кривые спектральной зависимости плотности тока фотонного
увлечения в квантовой проволоке с регулярной цепочкой 0D -центров
во внешнем магнитном поле построены для случая квантовой проволоки на
основе InSb. <...> Показано, что с уменьшением периода регулярной
цепочки 0D -центров в квантовой проволоке порог эффекта фотонного
увлечения смещается в длинноволновую область спектра из-за роста эффективной
массы электрона в примесной зоне. <...> При этом в спектральной зависимости
плотности тока фотонного увлечения возрастает частота и амплитуда
осцилляций интерференционной природы. <...> Показано, что параметры диссипативного туннелирования
оказывают существенное влияние на порог эффекта фотонного увлечения
в квантовой проволоке. <...> В квантовой проволоке с резонансными состояниями
электрона и туннельно связанной с объемным полупроводником появляются
дополнительные степени свободы для управления эффектом фотонного
увлечения путем варьирования параметров диссипативного туннелирования. <...> Ключевые слова: квантовая <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
Похожие документы: