Выявлены причины невоспроизводимого формирования тонких (30-50 мкм) дискретных зон растворителя избирательным смачиванием для процесса термомиграции. Предложена и рассмотрена компьютерная модель процесса формирования Si-Al дискретных зон в кристалле, позволяющая найти подходы устранения дефектов при получении зон растворителя и разработать методику их качественного формирования