ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ РЕЖИМОВ НА ЭЛЕМЕНТНЫЙ СОСТАВ И СОГЛАСОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ТРОЙНЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ ГЕТЕРОСТРУКТУР GaxIn1–xP/GaAs (100)

Исследовано влияние температуры подложки и скорости потока фосфина при эпитаксиальном выращивании твердых растворов (ТР) вблизи половинного состава x ~ 0,5 в гетероструктурах GaxIn1–xP/GaAs (100) на элементный состав ТР и величину параметров. Определены параметры решеток эпитаксиальных ТР в зависимости от технологических условий их получения (температура роста слоя и количество фосфина PH3 в потоке газа). Определен интервал изменений значений х = 0,49 ÷ 0,56, а также обнаружен распад твердых растворов в некоторых образцах. В результате проведенных исследований гетероструктур GaxIn1–xP/GaAs (100) с различными стехиометрическими соотношениями х были найдены оптимальные условия получения ТР с наиболее согласованными параметрами решетки. Наиболее согласованными параметрами ЭТР с подложкой обладает образец ЕМ 794 со значением х = 0,52, полученный при температуре подложки T = 700 oC и скорости потока фосфина в реакторе PH3 = 20 мл/сек.

• Середин П.В.
• Домашевская Э.П.
• Руднева В.Е.
• Руднева Вал.Е.

• Прикладные науки. Медицина. Технология

• Естественные науки
• Физико-математические науки