Влияние деформации на электропроводность варизонных пленок AlxGa1-xAs n-типа
Проведен анализ влияния деформации на электропроводность варизонных пленок AlxGa1-xAs. n-типа. Показано, что при интерпретации экспериментальных результатов по влиянию деформации на проводимость твердых растворов AlxGa1-xAs.необходимо учитывать L-минимумы.
Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
Л.С. ДРАГУНОВА, В.П. ДРАГУНОВ
Проведен анализ влияния деформации на электропроводность варизонных пленок AlxGa1–xAs n-типа. <...> Показано,
что при интерпретации экспериментальных результатов по влиянию деформации на проводимость твердых растворов
AlxGa1–xAs необходимо учитывать L-минимумы. <...> По сравнению с кремнием при моделировании процессов, происходящих
в твердых растворах, дополнительно необходимо учитывать возможные изменения
электронного сродства и варизонность, наличие энергетических минимумов разного типа и
связанные с ними примесные состояния. <...> В то же время в работе [4] было обнаружено, что в твердых растворах AlGaAs n-типа изменения
электропроводности при деформации могут быть достаточными для практического
использования в датчиках давления. <...> В данной статье рассматриваются особенности деформационных зависимостей электропроводности
варизонных структур на основе GaAs. <...> 1 и 2 приведены экспериментальные результаты исследования влияния всестороннего
и одноосного сжатия на электропроводность варизонных кристаллов AlxGa1–xAs
n-типа [4]. <...> Электропроводность измерялась в направлении,
перпендикулярном направлению градиента состава и параллельном направлению одноосного
сжатия. <...> Зависимости относительного изменения электропроводности кристаллов
AlxGa1–xAs от гидростатического давления при различном составе
твердого раствора у поверхности структуры. <...> Темные маркеры –
эксперимент, светлые – расчет с учетом Г- и Х-долин
Для определения влияния состава на зависимость электропроводности от величины сжатия
каждый из кристаллов подвергался многократному послойному травлению. <...> В процессе
травления удалялась та часть кристалла, которая имела меньшую мольную долю Al. <...> В результате было обнаружено, что на зависимостях относительного изменения электропроводности
от гидростатического сжатия варизонных кристаллов AlxGa1–xAs с составами, при
которых Х-минимумы становятся абсолютными, наблюдается изменение знака <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
Похожие документы: