Влияние деформации на электропроводность варизонных пленок AlxGa1-xAs n-типа

твердый раствор примесные состояния деформация электропроводность тензоэффект

Полиномиальная методика расчета нелинейных регуляторов для нелинейных систем, Классификация смоделированных скрытыми марковскими моделями последовательностей в многоклассовом случае, ...

Л.С. ДРАГУНОВА, В.П. ДРАГУНОВ Проведен анализ влияния деформации на электропроводность варизонных пленок AlxGa1–xAs n-типа. <...> Показано, что при интерпретации экспериментальных результатов по влиянию деформации на проводимость твердых растворов AlxGa1–xAs необходимо учитывать L-минимумы. <...> По сравнению с кремнием при моделировании процессов, происходящих в твердых растворах, дополнительно необходимо учитывать возможные изменения электронного сродства и варизонность, наличие энергетических минимумов разного типа и связанные с ними примесные состояния. <...> В то же время в работе [4] было обнаружено, что в твердых растворах AlGaAs n-типа изменения электропроводности при деформации могут быть достаточными для практического использования в датчиках давления. <...> В данной статье рассматриваются особенности деформационных зависимостей электропроводности варизонных структур на основе GaAs. <...> 1 и 2 приведены экспериментальные результаты исследования влияния всестороннего и одноосного сжатия на электропроводность варизонных кристаллов AlxGa1–xAs n-типа [4]. <...> Электропроводность измерялась в направлении, перпендикулярном направлению градиента состава и параллельном направлению одноосного сжатия. <...> Зависимости относительного изменения электропроводности кристаллов AlxGa1–xAs от гидростатического давления при различном составе твердого раствора у поверхности структуры. <...> Темные маркеры – эксперимент, светлые – расчет с учетом Г- и Х-долин Для определения влияния состава на зависимость электропроводности от величины сжатия каждый из кристаллов подвергался многократному послойному травлению. <...> В процессе травления удалялась та часть кристалла, которая имела меньшую мольную долю Al. <...> В результате было обнаружено, что на зависимостях относительного изменения электропроводности от гидростатического сжатия варизонных кристаллов AlxGa1–xAs с составами, при которых Х-минимумы становятся абсолютными, наблюдается изменение знака <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт