Установка измерения поглощенной дозы радиационного излучения на основе транзисторных сенсоров со структурой металл — диэлектрик — полупроводник
Представлено описание установки измерения поглощенной дозы радиационного излучения. Показана возможность использования полевых транзисторов со структурой металл — диэлектрик — полупроводник в качестве компактных сенсоров радиации. Приведено описание метода определения поглощенной дозы с использованием сдвига порогового напряжения в результате облучения. Рассмотрены методы повышения температурной стабильности измеряемых характеристик.
Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
УДК 539.1.07
Установка измерения поглощенной дозы радиационного
излучения на основе транзисторных сенсоров
со структурой металл — диэлектрик — полупроводник
В.В. Андреев, А.А. Столяров, И.В. Соловьев
Калужский филиал МГТУ им. <...> Н. Э. Баумана, Калуга, 248000, Россия
Представлено описание установки измерения поглощенной дозы радиационного излучения. <...> Показана возможность использования полевых транзисторов со структурой
металл — диэлектрик — полупроводник в качестве компактных сенсоров радиации. <...> Приведено описание метода определения поглощенной дозы с использованием
сдвига порогового напряжения в результате облучения. <...> В современной микроэлектронике в качестве ключевых, усилительных
элементов широкое применение нашли полевые транзисторы со
структурой металл — диэлектрик — полупроводник (МДП-транзисторы). <...> Кроме того, полевые транзисторы могут применяться в качестве
полупроводниковых накопительных датчиков радиационного облучения. <...> МДП-транзисторы
обладают достаточно сильной чувствительностью
к облучению и могут использоваться как накопительные дозиметры
ионизирующего излучения [1–4]. <...> При этом изменяется зарядовое состояние диэлектрика,
приводящее к сдвигу порогового напряжения транзистора. <...> В.В. Андреев, А.А. Столяров, И.В. Соловьев
в диэлектрике с однотипной реакцией на облучение [5, 6]. <...> Сдвиг порогового
напряжения является информативным показателем, характеризующим
поглощенную дозу ионизирующего излучения. <...> Пороговое напряжение МДП-транзистора с индуцированным каналом
обычно измеряется как напряжение на затворе при некотором
заданном токе стока. <...> Существует несколько методов, с помощью которых можно получить
значение порогового напряжения МДП-транзисторов:
Метод экстраполяции, подбора по значению тока стока, точечный. <...> Состоит в достраивании передаточной характеристики до
пересечения с осью абсцисс (при нулевом токе стока). <...> Для проведения
измерений необходимо знать определенные <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
Похожие документы: