РУсскоязычный Архив Электронных СТатей периодических изданий
Инженерный журнал: наука и инновации/2014/№ 1/
В наличии за
100 руб.
Купить
Облако ключевых слов*
* - вычисляется автоматически
Недавно смотрели:

Установка измерения поглощенной дозы радиационного излучения на основе транзисторных сенсоров со структурой металл — диэлектрик — полупроводник

Представлено описание установки измерения поглощенной дозы радиационного излучения. Показана возможность использования полевых транзисторов со структурой металл — диэлектрик — полупроводник в качестве компактных сенсоров радиации. Приведено описание метода определения поглощенной дозы с использованием сдвига порогового напряжения в результате облучения. Рассмотрены методы повышения температурной стабильности измеряемых характеристик.

Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
УДК 539.1.07 Установка измерения поглощенной дозы радиационного излучения на основе транзисторных сенсоров со структурой металл — диэлектрик — полупроводник В.В. Андреев, А.А. Столяров, И.В. Соловьев Калужский филиал МГТУ им. <...> Н. Э. Баумана, Калуга, 248000, Россия Представлено описание установки измерения поглощенной дозы радиационного излучения. <...> Показана возможность использования полевых транзисторов со структурой металл — диэлектрик — полупроводник в качестве компактных сенсоров радиации. <...> Приведено описание метода определения поглощенной дозы с использованием сдвига порогового напряжения в результате облучения. <...> В современной микроэлектронике в качестве ключевых, усилительных элементов широкое применение нашли полевые транзисторы со структурой металл — диэлектрик — полупроводник (МДП-транзисторы). <...> Кроме того, полевые транзисторы могут применяться в качестве полупроводниковых накопительных датчиков радиационного облучения. <...> МДП-транзисторы обладают достаточно сильной чувствительностью к облучению и могут использоваться как накопительные дозиметры ионизирующего излучения [1–4]. <...> При этом изменяется зарядовое состояние диэлектрика, приводящее к сдвигу порогового напряжения транзистора. <...> В.В. Андреев, А.А. Столяров, И.В. Соловьев в диэлектрике с однотипной реакцией на облучение [5, 6]. <...> Сдвиг порогового напряжения является информативным показателем, характеризующим поглощенную дозу ионизирующего излучения. <...> Пороговое напряжение МДП-транзистора с индуцированным каналом обычно измеряется как напряжение на затворе при некотором заданном токе стока. <...> Существует несколько методов, с помощью которых можно получить значение порогового напряжения МДП-транзисторов: Метод экстраполяции, подбора по значению тока стока, точечный. <...> Состоит в достраивании передаточной характеристики до пересечения с осью абсцисс (при нулевом токе стока). <...> Для проведения измерений необходимо знать определенные <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы: