Исследования деградации резонансно-туннельных диодов на базе AlAs/GaAs наногетероструктур

AlAs/GaAs гетероструктура приконтактные области AuGeNi омические контакты резонанснотуннельный диод нелинейные преобразователи радиосигналов деградационные явления термическое воздействие коэффициент диффузии контактное сопротивление ИК-спектральная эллипсометрия

Перспективы получения нанометровой шероховатости поверхности ионно-лучевым методом, Методика испытаний на газопроницаемость образцов углепластика с наномодифицированной матрицей, ...

Н.Э. Баумана, Москва, 105005, Россия Для радиотехнических устройств на основе наноразмерных многослойных полупроводниковых гетероструктур актуальна проблема обеспечения надежности вследствие чувствительности параметров гетероструктуры к процессам деградации ввиду малости толщин слоев. <...> В данной работе проведены исследования термической деградации AlAs/GaAs наногетероструктуры и партии резонансно-туннельных диодов с использованием методов ИК-спектральной эллипсометрии и ускоренного старения полупроводниковых устройств. <...> В результате определены активационные параметры диффузии (энергия активации и предэкспоненциальный множитель) Al и Si в резонансно-туннельной структуре и приконтактных областях и зависимость контактного сопротивления AuGeNi омических контактов от времени и температуры. <...> Полученные в настоящей работе числовые характеристики основных деградационных процессов могут быть использованы для прогнозирования надежности резонансно-туннельных диодов и нелинейных преобразователей радиосигналов на их основе. <...> Ключевые слова: AlAs/GaAs гетероструктура, приконтактные области, AuGeNi омические контакты, резонансно-туннельный диод, нелинейные преобразователи радиосигналов, деградационные явления, термическое воздействие, коэффициент диффузии, контактное сопротивление, ИК-спектральная эллипсометрия. <...> К таким приборам относятся резонансно-туннельные диоды (РТД) на базе многослойных полупроводниковых AlAs/GaAs гетероструктур с поперечным токопереносом [1 — 3]. <...> Такое свойство РТД позволяет создавать на его базе различные нелинейные преобразователи радиосигналов: смесители, выпрямители, умножители и генераторы, функциональные характеристики которых 1 <...> М.О. Макеев, Ю.А. Иванов, С.А. Мешков, Ю.Н. Литвак, Н.А. Ветрова могут быть оптимизированы за счет выбора наилучшей для конкретных условий применения формы ВАХ нелинейного элемента [4, 5]. <...> Если исследованиям свойств самих РТД [6–9] и проблемам их <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт