Описание свойств электронного газа вблизи поверхности металла методом многочастичных функционалов плотности с учетом периодической структуры металла

метод функционалов плотности нерелятивистские фермисистемы собственные значения вариационные методы

Алгоритм идентификации веществ по набору спектров вторичного излучения, Нечеткое управление в эргатических робото-технических системах, ...

Описание свойств электронного газа вблизи поверхности металла УДК 539.19+539.2 Описание свойств электронного газа вблизи поверхности металла методом многочастичных функционалов плотности с учетом периодической структуры металла О.С. Еркович МГТУ им. <...> Н.Э. Баумана, Москва, 105005, Россия Описано применение методов теории возмущений в формализме многочастичных функционалов плотности. <...> Рассмотрена возможность анализа пространственной структуры электронного газа вблизи поверхности металла с учетом периодической структуры кристаллической решетки. <...> Получено аналитическое выражение для двухчастичной функции плотности электронного газа в периодическом потенциале. <...> В настоящей работе рассмотрены возможности применения теории многочастичных функционалов плотности [1–3] для описания пространственной структуры электронного газа вблизи поверхности металла. <...> В основу теории положено описание нерелятивистских квантовых систем с помощью многочастичных функций плотности nr r менты не зависящих от спина m-частичных матриц плотности, условие нормировки для которых, как и в работах [1–3], было выбрано в виде dr dr n r r C 33 11 ... mm m N ( ,..., ) Nm m m N! ()! на функции, соответствующей пространственному распределению частиц в основном состоянии. <...> Для систем с парными потенциалами взаимодействия оптимальным является описание посредством двухчастичных функций плотности, тогда полная энергия основного состояния допускает представление mm( 1,..., ) 1 ! , где N – число частиц в системе. <...> Использовали адиабатическое приближение, в соответствии с которым электронный газ вблизи поверхности металла находится во внешнем потенциале V(r) = V0(r) + V1(r); потенциал кристаллической решетки V(r) рассматривался как сумма потенциала однородного фона V0(r), созданного равномерно распределенным положительным зарядом с плотностью nr n z () x 0 () ( ), 0 при x 0; 1 при x 0, 3 0. <...> О.С. Еркович (ось Oz направлена в вакуум по нормали к поверхности <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт