Надежность автомобильных электронных компонентов в условиях воздействия знакопеременных нагрузок
Обобщенный закон Гука для кремниевого монокристаллического чувствительного элемента датчиков давления автомобильной электроники показал, что при напряжениях, возникающих в чувствительных элементах датчиков в условиях реальной ксплуатации двигателей автомобилей, могут образовываться дефекты кристаллической решетки, приводящие к гистерезису свойств приборов. Установлено, что экспериментальные данные по частотному распределению величины гистерезиса лектрофизических параметров датчиков могут быть описаны законом нормального распределения случайных величин. Предложена математическая модель возникновения и изменения гистерезиса в упругих элементах датчиков микроэлектромеханических структур, используемых в автомобильной электронике. Модель построена с использованием метода полиномиальной регрессии экспериментальных данных и позволяет определять надежность промышленно выпускаемых датчиков. Показано, что для снижения величины температурного гистерезиса выходного сигнала интегральных датчиков давления необходимо устранить причины возникновения упругих механических напряжений в их структурах. Оптимизация технологического процесса изготовления датчиков (изменение технологии формирования отверстий в стекле, на которое крепилась мембрана) позволила снизить величину гистерезиса выходного сигнала датчиков до 0,01 мВ вместо 0,07 В по базовой технологии.
Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
Надежность автомобильных электронных компонентов…
УДК 621.382
Надежность автомобильных электронных компонентов
в условиях воздействия знакопеременных нагрузок
С. <...> Н.Э. Баумана, Калуга, 248000, Россия
2 ОАО «КНИИТМУ», Калуга, 248000, Россия
Обобщенный закон Гука для кремниевого монокристаллического чувствительного
элемента датчиков давления автомобильной электроники показал, что при
напряжениях, возникающих в чувствительных элементах датчиков в условиях реальной
эксплуатации двигателей автомобилей, могут образовываться дефекты
кристаллической решетки, приводящие к гистерезису свойств приборов. <...> Установлено,
что экспериментальные данные по частотному распределению величины гистерезиса
электрофизических параметров датчиков могут быть описаны законом
нормального распределения случайных величин. <...> Предложена математическая
модель возникновения и изменения гистерезиса в упругих элементах датчиков микроэлектромеханических
структур, используемых в автомобильной электронике. <...> Модель построена с использованием метода полиномиальной регрессии экспериментальных
данных и позволяет определять надежность промышленно выпускаемых
датчиков. <...> Показано, что для снижения величины температурного гистерезиса
выходного сигнала интегральных датчиков давления необходимо устранить
причины возникновения упругих механических напряжений в их структурах. <...> Оптимизация
технологического процесса изготовления датчиков (изменение технологии
формирования отверстий в стекле, на которое крепилась мембрана) позволила
снизить величину гистерезиса выходного сигнала датчиков до 0,01 мВ вместо
0,07 мВ по базовой технологии. <...> Ключевые слова: датчики давления, автомобильная электроника, дефекты и гистерезис
параметров, микроэлектромеханическая структура, интегральная микросхема,
надежность, дислокации. <...> Одним из основных требований к любому типу автомобильных
датчиков является их высокая надежность, которая <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
Похожие документы: