РУсскоязычный Архив Электронных СТатей периодических изданий
Найти!
Известия Санкт-Петербургского государственного технологического института (технического университета)/2014/№ 27(53)/
В наличии за
40 руб.
Купить
Облако ключевых слов*
* - вычисляется автоматически
Недавно смотрели:

ПАРАМЕТРЫ ЭЛЕКТРОННЫХ СПЕКТРОВ РАСТВОРОВ, СОДЕРЖАЩИХ БИМЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ГЕТЕРОЯДЕРНЫЕ КОМПЛЕКСЫ ПЛАТИНОВЫХ МЕТАЛЛОВ С СОЕДИНЕНИЯМИ ГЕРМАНИЯ(II)

Платиновые металлы образуют устойчивые комплексы с лигандами GeX3 - в водных растворах галогенводородных кислот: [M(GeX3)5]3-, M = Pd(II), Pt(II); [M(GeX3)5X]3-, M=Rh(III), Ir(III); [M(GeX3)5X]4-, M = Ru(II), Os(II), X = F-, CI-, Br-, I-. Образование гетероядерных M-Ge связей проявляется в электронных спектрах(ЭСП) растворов интенсивными(ε >104, моль-1 см-1 л) полосами переноса заряда(ППЗ) с 4s2 орбитали атомов Ge(II) на Pt металл. По концепции Иоргенсена параметрами ЭСП c ПЗ являются оптические электроотрицательности(ЭО) ионов металла(χопт М n+ ) и лиганда(χопт L), рассчитываемые по формуле: ν(kK) = 30(χопт L – χопт М n+), где ν – волновое число ППЗ в килокайзерах(кК). Для расчета χопт GeX3(-) использованы значения χопт М n+, полученные при анализе ЭСП растворов M-Sn комплексов[6]. Электронные свойства GeX3 - зависят от природы Х в GeX3 -. С рос- том ЭО Х полосы ПЗ сдвигаются в коротковолновую область, χопт GeX3 увеличивается: GeI3 - = 2.3; GeBr3 - = 2.5; GeCI3 - = 2.64; GeCitr- = 2.8; GePO4 - = 2.9; GeF3 - = 2.9. С ростом ЭО Х в GeX3 - возрастает участие 4s2 орбитали атома Ge(II) в sp3 гибридизации. Соответственно, увеличивается перенос 4s2 электронов на Pt металл и возрастает прочность σ- связи M-Ge, т.е. с ростом ЭО Х σ-донорные свойства лигандов GeX3 - увеличиваются. Cравнение параметров ЭСП (χопт GeX3(-) > χопт SnХ3(-)) [6] свидетельствует о том, что лиганды GeX3 - обладают более сильными σ-донорными свойствами, чем SnX3-. DOI:10.15217/issn1998984-9.2014.27.3

Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
To calculate χoptGeX3(-) wesed values ) and ligand (χopt L - χopt Mn + shorter wavelengths, χoptGeX3(-) 2.5; GeCI3- = 2.64; GeCitrl) chargeAccording to the Iorgensen concept, the parameters of the ESP with СT are optical electronegativity (EN) of the metal ions (χopt Mn + = 30 (χopt L ), where ν – wave number of the CTB in of χoptMn + tained by analyzing the ESP of the M-Sn complexes solutions <...> Г.Антонов1 ЭЛЕКТРОННЫХ СПЕКТРОВ РАСТВОРОВ, СОДЕРЖАЩИХ БИМЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ГЕТЕРОЯДЕРНЫЕ КОМПЛЕКСЫ ПЛАТИНОВЫХ МЕТАЛЛОВ С СОЕДИНЕНИЯМИ ГЕРМАНИЯ(II) Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет), Московский пр., 26 Санкт-Петербург, 190013, Россия e-mail: pgantonov@mail.ru , M , Платиновые металлы образуют устойчивые комплексы с лигандами GeX3родных кислот: [M(GeX3)5]3M=Rh(III), Ir(III); [M(GeX3)5X]4Brявляется в электронных спектрах(ЭСП) растворов интенсивными(ε >104 заряда(ППЗ) с 4s2 , I. <...> Образование гетероядерных M-Ge связей про, моль-1 , CIорбитали атомов Ge(II) на Pt металл. <...> л) полосами переноса По концепции Иоргенсена параметрами ЭСП c ПЗ являются оптические электроотрицательности(ЭО) ионов металла(χоптМn+ по формуле: ν(kK) = 30(χоптL число ППЗ в килокайзерах(кК). <...> Для расчета χоптGeX3(-) использованы значения χоптМn+ ) и лиганда(χоптL – χоптМn+ зе ЭСП растворов M-Sn комплексов[6]. <...> 2.9. возрастает прочность σ- связи M-Ge, т.е. с ростом ЭО Х σ-донорные свойства лигандов GeX3Cравнение параметров ЭСП (χоптGeX3(-) детельствует о том, что лиганды GeX3Keywords: bimetallic platinum metal complexes with ligands of Sn(II) and Ge(II), electron and γ-resonance (119 , GeX3. <...> Sn) spectra, the charge-transfer band, the optical electronegativity of the metal ions and the ligands, the electronic properties of the ligands <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы:

  • Похожие документы из РУАЭСТ
  • |
  • Похожие документы из Руконт

Помощь:

Участники:

© НЦР Руконт 2014