Методом спектроскопии электронного парамагнитного резонанса исследованы парамаг-нитные центры в пленках SiCxNyHz, полученных плазмохимическим осаждением из па-ров гексаметилдисилазана. Обнаружено, что в пленках присутствуют оборванные связи на атоме углерода, причем их концентрация значительно увеличивается с ростом темпе-ратуры осаждения. Методом спектроскопии комбинационного рассеяния света определена область температур осаждения, внутри которой пленки содержат кластеры углерода. Установлено сходство в свойствах пленок, синтезированных при высоких темпера-турах осаждения, и пленок, изначально осажденных при низких температурах и затем подвергнутых отжигу. Результаты исследований интерпретированы с использованием известных данных о составе и структуре пленок, а также имеющихся в литературе пред-ставлений.