Конструктивно-технологический базис на основе полностью самосовмещенных структур для терагерцовых БИС

терагерцовые БИС; конструктивно-технологические схемы; вертикально интегрированные транзисторные структуры; обращенные ультратонкие и плоские эмиттерные области; обращенные профили легирования As; самосопряженные псевдолитографические и составные маски.

Исследование мультиграфеновых структур на основе квантово-химической модели, Влияние нестационарных воздействий на концентрационную микронеоднородность при выращивании кристаллов методом вертикальной направленной кристаллизации, ...

МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ И СИСТЕМЫ MICROELECTRONIC DEVICES AND SYSTEMS УДК 621.3.049.77 Конструктивно-технологический базис на основе полностью самосовмещенных структур для терагерцовых БИС <...> Saurov SMC «Technological center», Moscow Приведены конструктивно-технологические схемы самоформирования полностью самосовмещенных вертикально интегрированных транзисторных структур с обращенными и прямыми эмиттерами для терагерцовых БИС. <...> Точное позиционирование элементов с нанометровыми размерами на поверхности и на определенной глубине пластины кремния достигнуто за счет применения самосопряженных и составных псевдолитографических масок. <...> Рассмотрены критичные узлы в конструкции и технологии изготовления структур с узкими и плоскими эмиттерными областями и c обращенным профилем легирования мышьяком на поверхности. <...> Ключевые слова: терагерцовые БИС; конструктивно-технологические схемы; вертикально интегрированные транзисторные структуры; обращенные ультратонкие и плоские эмиттерные области; обращенные профили легирования As; самосопряженные псевдолитографические и составные маски. <...> Одно из направлений исследования – создание биполярных СВЧ самосовмещенных транзисторных структур (БССТС) на кремнии (Si) с максимальной частотой генерации fmax= 0,5 – 1,5 ТГц [1, 2]. <...> В работе [2] детально рассмотрены результаты математического моделирования конструкции БССТС с селективно выращенными областями базы на основе сплава SiGe-B-C при нижнем расположении областей коллектора, но с уменьшенной их геометрией и при верхнем расположении узких эмиттерных областей из поликремния Si*(Р), легированного фосфором (Р). <...> Определенный интерес представляют структуры с узкими и плоскими эмиттерными областями (УПЭО), легированными мышьяком (As) или Р [3]. <...> Такие структуры не имеют паразитных горизонтальных участков ультратонких переходов эмиттер–база под маскирующим слоем диэлектрика, так как они примыкают к вертикальным областям боковой диэлектрической <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт