Исследование СВЧ-транзистора с субмикронным Т-образным затвором, изготовленным методом наноимпринт литографии

наноимпринт литографиия; p-HEMT-транзистор; Т-образный затвор.

Исследование мультиграфеновых структур на основе квантово-химической модели, Исследование структуры тонкого слоя алюминия на вицинальной поверхности подложки арсенида галлия методом высокоразрешающей электронной микроскопии, ...

УДК 621.382.323 Исследование СВЧ-транзистора с субмикронным Т-образным затвором, изготовленным методом наноимпринт литографии <...> В.И. Егоркин, А.А. Зайцев, С.С. Шмелев Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Fabrication of HEMTs with T-Gates by Nanoimprint Lithography V.I. <...> Shmelev National Research University of Electronic Technology Приведены результаты разработки метода создания СВЧ-транзистора, в котором Т-образный затвор формируется с применением технологии наноимпринт литографии. <...> Разработанный транзистор имеет длину основания затвора порядка 250 нм и максимальную крутизну более 350 мСм/мм. <...> Предельная частота усиления по току ft составляет 40 ГГц при VСИ=1,4 В, предельная частота усиления по мощности fmax – 50 ГГц при VСИ=3 В. <...> The method for fabrication of HEMTs, in which T-gate is formed using the nanoimprint lithography technology, has been presented. <...> The characteristics of the created GaAs pHEMT transistors have been investigated. <...> The developed transistor has the gate base length of 250 nm order and maximum transconductance over 350 mS/mm, the current-gain cutoff frequency (ft) and maximum oscillation frequency (fmax) of 40 and 50 GHz, respectively. <...> В настоящее время характеристики транзисторов совершенствуются в основном за счет оптимизации технологических параметров и уменьшения размеров его элементов. <...> Конструкция такого затвора, в частности уменьшение длины основания, приводит к увеличению максимальных частот усиления транзисторов по току и мощности [1]. <...> Для формирования затворов СВЧ-транзисторов с субмикронными размерами применяется электроннолучевая литография. <...> В.И. Егоркин, А.А. Зайцев, С.С. Шмелев В работе [4] приводится метод создания транзистора, при котором на первом этапе технологического процесса Т-образный затвор и знаки совмещения формируются с применением наноимпринт литографии. <...> Штамп, содержащий Т-образный профиль затвора и знаки совмещения, формируется методом электронно-лучевой литографии. <...> Для формирования затвора применяется двухслойная система резистов полиметилкрилат/LOR-A. <...> На следующих этапах технологического процесса формируются омические контакты, меза-структуры <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт