Влияние размера области засветки образца высокоомного арсенида галлия на его проводимость

полуизолирующий полупроводник; омические контакты; локальная засветка образца; концентрация свободных носителей заряда; фотопроводимость.

Исследование методов модификации зондов для атомно-силовой микроскопии критических размеров осаждением углеродных нанотрубок, Выставка «Электроника-2014» (г. Мюнхен, Германия), ...

МЕТОДЫ И ТЕХНИКА ИЗМЕРЕНИЙ MEASUREMENT METHODS AND TECHNOLOGY УДК 621.315.592 Влияние размера области засветки образца высокоомного арсенида галлия на его проводимость <...> Strogankova1 1 Moscow Institute of Electronics and Mathematics of National Research University Higher School of Economics 2State Scientific Center of Russian Federation Joint Stock Company State Scientific Research and Design Institute of Rare Metal Industry «GIREDMET», Moscow Исследовано влияние засветки центральной части образца полуизолирующего арсенида галлия п-типа на его проводимость. <...> Показано, что люкс-амперная характеристика, начиная с некоторого значения интенсивности света, выходит на линейную зависимость, угловой коэффициент которой растет с увеличением диаметра освещаемой области. <...> Зависимость носит степенной характер и находится между квадратичной и линейной. <...> Ток отсечки значение тока, полученное при экстраполяции линейного участка люкс-амперной характеристики до пересечения с осью токов при нулевой интенсивности освещения, суперлинейно зависит от диаметра освещаемой области. <...> Ключевые слова: полуизолирующий полупроводник; омические контакты; локальная засветка образца; концентрация свободных носителей заряда; фотопроводимость. <...> The luxe-ampere dependence beginning from some light intensity has been А.П. Лысенко, А.Г.Белов, В.А. Голубятников, Н.И. Строганкова, 2015 174 Известия вузов. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 2 2015 Влияние размера области засветки образца... shown to become linear, and its angular coefficient increased with illuminated area diameter increasing. <...> Измерение электрофизических параметров полупроводников, например удельного сопротивления, концентрации свободных носителей заряда и их подвижности, связано в первую очередь с созданием омических контактов к образцам. <...> Однако в случае высокоомных полупроводников (полуизолирующий арсенид галлия, детекторный теллурид кадмия-цинка и т.п.) для экспресс-анализа эти методы мало пригодны. <...> Переходное сопротивление омических контактов зависит от очень большого числа факторов, но общей закономерностью является то, что с увеличением концентрации свободных носителей заряда <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт