Основные дефекты в слитках и эпитаксиальных слоях карбида кремния II. Микропоры. Малоугловые границы. Дефекты упаковки

карбид кремния; микропоры; малоугловые границы; дефекты упаковки.

Влияние режимов фотолитографического цикла на величину отрицательного угла маски из позитивного фоторезиста, Исследование структуры и состава напряженного эпитаксиального слоя в гетерокомпозиции InAlAs/GaAs(100), ...

МАТЕРИАЛЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ ELECTRONIC ENGINEERING MATERIALS УДК 621.315 Обзор Основные дефекты в слитках и эпитаксиальных слоях карбида кремния II. <...> Petersburg Приведены сведения о дефектах, существующих в слитках и эпитаксиальных слоях карбида кремния. <...> The micropipes, the low-angle boundaries and the stacking faults have been considered. <...> Наиболее серьезным дефектом, приводящим к фатальным последствиям при работе силовых приборов на основе карбида кремния SiC, всегда считались микропоры – протяженные дефекты, вытянутые вдоль направления [0001], с полой областью ядра. <...> Микропоры уменьшают пробивные напряжения в p i n-диодах и диодах Шоттки, а также увеличивают токи утечки в приборных структурах на основе карбида кремния. <...> Образование и огранение полых каналов, параллельных направлению роста слитка, можно объяснить эффектом вторичного испарения материала затравки <...> Обычно микропору отождествляют с супервинтовой дислокацией с вектором Бюргерса, в несколько раз превышающем размер элементарной ячейки карбида кремния в направлении [0001]. <...> [3], винтовые дислокации, в том числе с полым ядром, образуются в процессе зарастания включений второй фазы в растущем кристалле. <...> При этом винтовые дислокации зарождаются парами с противоположными векторами Бюргерса или группой с суммарным вектором Бюргерса, равным нулю [3]. <...> Согласно модели Франка [6], в изотропном теле дислокация с вектором Бюргерса, превышающим некоторое критическое значение, имеет полую область ядра радиусом r, не заполненную материалом [7]. <...> Равновесная величина r определяется из равенства изменений поверхностной и упругой энергий, соответствующих возникновению полого ядра [7]: r = (μb2)/(8π2γ), где μ – модуль сдвига; b – вектор Бюргерса дислокации; γ – поверхностная энергия кристалла. <...> В [5] также выведено простое соотношение, которому должна удовлетворять величина вектора Бюргерса, для того чтобы ядро дислокации было полым: bmin > 40πγ / μ. <...> Кроме того, радиус полого ядра зависит от степени пересыщения в процессе роста <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт