Влияние электрон-фононного взаимодействия на обратные токи p–n-переходов на основе GaAs

p–n-переходы; фононное взаимодействие.

Импульсный источник питания GaN-транзисторов, Емкостные датчики на основе нанотрубных суперконденсаторов, ...

МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ И СИСТЕМЫ MICROELECTRONIC DEVICES AND SYSTEMS УДК 615.321 Влияние электрон-фононного взаимодействия на обратные токи p–n-переходов на основе GaAs <...> Zukov Ulyanovsk State University Разработан и реализован на примере GaAs алгоритм вычисления параметров электрон-фононного взаимодействия ловушки EL2. <...> На основе данных параметров вычислены полевые зависимости вероятностей безызлучательных переходов с данной ловушки и обратные токи p–n-переходов на GaAs, которые хорошо согласуются с результатами эксперимента. <...> На величину обратных токов p–n-переходов влияет содержание центров рекомбинации в области пространственного заряда [1, 2]. <...> Наличие центров рекомбинации приводит к росту обратных токов и «мягким» вольт-амперным характеристикам (ВАХ) в предпробойной области [2]. <...> Т Саа с соавторами была показана ведущая роль центров рекомбинации в формировании обширного участка ВАХ как при прямом смещении (рекомбинация в области пространственного заряда), так и при обратном (генерация через центры рекомбинации) [3]. <...> В большинстве случаев наблюдается генерация через центры рекомбинации в области пространственного заряда, усиленная электрическим полем. <...> На основе принципа Франка – Кондона достигнуто правильное понимание физической ситуации, дано квантово-механическое обоснование этому принципу и выполнены первые квантово-механические расчеты распределения интенсивностей по колебательным подуровням электронного перехода. <...> Применительно к физике полупроводниковых приборов данное взаимодействие актуально в связи с исследованием электронных процессов, происходящих в области пространственного заряда (ОПЗ) полупроводниковых приборов, а следовательно, в присутствии электрического поля. <...> Первые теоретические исследования ионизации глубоких примесных центров в областях с сильным электрическим полем в полупроводниках с участием квантов колебаний решетки связаны с работами С.Ф. Тимашова [8, 9], <...> К настоящему времени развиты <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт