Применение двухволновой рентгенооптической схемы совместных измерений зеркального отражения и диффузного рассеяния рентгеновского излучения для исследования многослойных тонкопленочных структур

тонкопленочные наноструктуры; рентгеновская рефлектометрия; рентгеновское диффузное рассеяние; двухволновая рентгенооптическая схема.

Влияние электрон-фононного взаимодействия на обратные токи p–n-переходов на основе GaAs, Применение модифицированного уравнения Гиббса для задач исследования отказов изделий микросистемной техники, ...

МЕТОДЫ И ТЕХНИКА ИЗМЕРЕНИЙ MEASUREMENT METHODS AND TECHNOLOGY УДК 621.386 Применение двухволновой рентгенооптической схемы совместных измерений зеркального отражения и диффузного рассеяния рентгеновского излучения для исследования многослойных тонкопленочных структур <...> Ovchinnikov4 1National Research University of Electronic Technology, Moscow 2The Lebedev Physical Institute of RAS, Moscow 3National Research Tomsk State University 4The Institute of Electrophysics of the Ural Division of RAS, Ekaterinburg Представлены результаты комплексного исследования параметров диффузионно-барьерных структур TiN/Ti с помощью методов относительной рентгеновской рефлектометрии и диффузного рассеяния рентгеновского излучения, реализованных на базе двухволновой рентгенооптической схемы измерений. <...> Показано, что данная схема в рамках одного измерения обеспечивает исследование двух различных областей диффузного рассеяния, что повышает корректность и однозначность проведенного анализа. <...> Рассмотренный комплекс методов позволяет разрешить неоднозначность типа плотность/шероховатость при решении обратной задачи рефлектометрии и рассчитать параметры скрытых слоев в исследованных структурах. <...> Ключевые слова: тонкопленочные наноструктуры; рентгеновская рефлектометрия; рентгеновское диффузное рассеяние; двухволновая рентгенооптическая схема. <...> Д.И. Смирнов, Н.Н. Герасименко, В.В. Овчинников The results of the comprehensive study on the parameters of the diffusebarrier structures TiN/Ti by methods of relative X-ray reflectometry and diffuse X-ray scattering, based on a two-wave X-ray optical measurement scheme, have been presented. <...> Преимущества двухволновой рентгенооптической схемы измерений для исследования зеркального отражения рентгеновского излучения на многослойных тонкопленочных структурах и использования метода относительной рефлектометрии для их анализа показаны в [1, 2]. <...> Анализ кривых зеркального отражения позволяет построить интегральное распределение электронной плотности по глубине многослойной структуры, связанное как с изменением физической плотности материала слоя, в том числе и за счет процессов взаимодиффузии <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт