Анализ устойчивости КМОП дифференциальных усилителей к воздействию накопленной дозы ионизирующих излучений

радиационная стойкость; модели МОП-транзисторов; дифференциальные усилители.

Приборно-технологическое моделирование элементов интегральной электроники с повышенной стойкостью к внешним воздействиям, Интегральный понижающий преобразователь входного напряжения с цифровым контролем обратной связи и коэффициента преобразования, ...

УДК 621.382.2 Анализ устойчивости КМОП дифференциальных усилителей к воздействию накопленной дозы ионизирующих излучений <...> Балака2 1ООО «Юник Ай Сиз» (г. Москва) 2Институт проблем проектирования в микроэлектронике Российской академии наук (г. Москва) Analysis of Stability of CMOS Differential Amplifiers to Effects of Ionizing Radiation Accumulated Dose D.Y.Adamov1, Y.F.Adamov2, E.S.Balaka2 1LLC «Unique ICs», Moscow 2Federal State-Funded Institutions of Science Institute for Design Problems in Microelectronics of Russian Academy of Sciences Проведен сравнительный анализ известных и новых схем КМОП дифференциальных усилителей для моделей КМОП-транзисторов, не подвергавшихся и подвергнутых облучению от источника гамма-квантов с накопленной дозой 1 Мрад. <...> Анализ результатов показал, что наилучшая стойкость наблюдается для асимметричных дифференциальных усилителей с цепями автосмещения статического режима. <...> При этом изменение коэффициента усиления после воздействия излучения менее 5%, синфазное смещение выходного сигнала менее 0,1 В. <...> Такой же результат получен и для симметричных дифференциальных усилителей на основе двух асимметричных усилителей с противофазным подключением входных сигналов и независимой стабилизацией статического режима. <...> Большинство аналоговых устройств содержит каскады на основе дифференциальных усилителей (ДУ) [1, 2]. <...> В электронных системах космических аппаратов используются микросхемы, которые должны иметь стойкость к воздействию ионизирующих излучений (ИИ) с накопленной дозой до 1 Мрад [3]. <...> Д.Ю. Адамов, Ю.Ф. Адамов, Е.С. Балака аналоговых микросхем к ИИ достигается применением комплекса конструктивнотехнологических и схемотехнических решений. <...> Конструктивно-технологические решения направлены на стабилизацию параметров элементов микросхемы, а схемотехнические – на компенсацию изменений этих параметров на уровне функциональных блоков [4]. <...> В настоящей работе проводится сравнительный анализ статических характеристик известных и новых схем КМОП ДУ в диапазоне напряжений питания 1,83,3 В. <...> Результаты <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт