Исследование температурного дрейфа и нелинейностей тензопреобразователей давления на основе керамики
Рассмотрены тензопреобразователи давления на основе керамики и полупроводникового чувствительного элемента со структурой кремний на сапфире. Проведены исследования нелинейности и вариации выходного сигнала, температурного дрейфа керамических преобразователей с использованием различных видов керамики. Температурная погрешность керамических тензопреобразователей оказалась существенно ниже, чем у серийно выпускаемых преобразователей давления, а точности керамических и серийно выпускаемых тензопреобразователей сравнимы.
Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
В. М. Стучебников, А. А. Устинов, Ю. С. Нагорнов
ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОГО ДРЕЙФА
И НЕЛИНЕЙНОСТЕЙ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ
ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ КЕРАМИКИ
Аннотация. <...> Рассмотрены тензопреобразователи давления на основе керамики
и полупроводникового чувствительного элемента со структурой кремний на
сапфире. <...> Проведены исследования нелинейности и вариации выходного сигнала,
температурного дрейфа керамических преобразователей с использованием
различных видов керамики. <...> Температурная погрешность керамических тензопреобразователей
оказалась существенно ниже, чем у серийно выпускаемых
преобразователей давления, а точности керамических и серийно выпускаемых
тензопреобразователей сравнимы. <...> The pressure transducers on ceramic basis and semi-conductor sensing
elements made of heteroepitaxial silicon-on-sapphire structures are considered. <...> The
investigations of non-linearity, of the variation output signal and of the temperature
dependence of the ceramic pressure transducers using different kind of ceramic basis
are carried out. <...> Введение
С 1960-х гг. интенсивно разрабатываются микроэлектронные датчики
механических величин с тензорезисторной мостовой схемой, в которых в качестве
чувствительных элементов используются полупроводники. <...> В России нашли широкое распространение интегральные тензорезисторные
преобразователи давления (ТП) с полупроводниковыми чувствительными
элементами (ПЧЭ) на основе структур кремний на сапфире (КНС) <...> Они успешно применяются в построении комплексов
высокоточных, высокостабильных, надежных датчиков механических величин
для систем контроля и управления разнообразными технологическими
процессами во всех отраслях промышленности [3, 6], двигателестроении [7],
для измерения давления криогенных [8] и высокотемпературных [9] сред и
в других областях науки и техники. <...> Нагрузочная характеристика представляет собой зависимость
выходного напряжения мостовой схемы от приложенного к мембране
избыточного давления. <...> Основными метрологическими характеристиками
датчиков давления по ГОСТ 22521–85 являются нелинейность, вариация
и повторяемость <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
Похожие документы: