РУсскоязычный Архив Электронных СТатей периодических изданий
Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Технические науки/2010/№ 2/
В наличии за
40 руб.
Купить
Облако ключевых слов*
* - вычисляется автоматически
Недавно смотрели:

Исследование температурного дрейфа и нелинейностей тензопреобразователей давления на основе керамики

Рассмотрены тензопреобразователи давления на основе керамики и полупроводникового чувствительного элемента со структурой кремний на сапфире. Проведены исследования нелинейности и вариации выходного сигнала, температурного дрейфа керамических преобразователей с использованием различных видов керамики. Температурная погрешность керамических тензопреобразователей оказалась существенно ниже, чем у серийно выпускаемых преобразователей давления, а точности керамических и серийно выпускаемых тензопреобразователей сравнимы.

Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
В. М. Стучебников, А. А. Устинов, Ю. С. Нагорнов ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОГО ДРЕЙФА И НЕЛИНЕЙНОСТЕЙ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ КЕРАМИКИ Аннотация. <...> Рассмотрены тензопреобразователи давления на основе керамики и полупроводникового чувствительного элемента со структурой кремний на сапфире. <...> Проведены исследования нелинейности и вариации выходного сигнала, температурного дрейфа керамических преобразователей с использованием различных видов керамики. <...> Температурная погрешность керамических тензопреобразователей оказалась существенно ниже, чем у серийно выпускаемых преобразователей давления, а точности керамических и серийно выпускаемых тензопреобразователей сравнимы. <...> The pressure transducers on ceramic basis and semi-conductor sensing elements made of heteroepitaxial silicon-on-sapphire structures are considered. <...> The investigations of non-linearity, of the variation output signal and of the temperature dependence of the ceramic pressure transducers using different kind of ceramic basis are carried out. <...> Введение С 1960-х гг. интенсивно разрабатываются микроэлектронные датчики механических величин с тензорезисторной мостовой схемой, в которых в качестве чувствительных элементов используются полупроводники. <...> В России нашли широкое распространение интегральные тензорезисторные преобразователи давления (ТП) с полупроводниковыми чувствительными элементами (ПЧЭ) на основе структур кремний на сапфире (КНС) <...> Они успешно применяются в построении комплексов высокоточных, высокостабильных, надежных датчиков механических величин для систем контроля и управления разнообразными технологическими процессами во всех отраслях промышленности [3, 6], двигателестроении [7], для измерения давления криогенных [8] и высокотемпературных [9] сред и в других областях науки и техники. <...> Нагрузочная характеристика представляет собой зависимость выходного напряжения мостовой схемы от приложенного к мембране избыточного давления. <...> Основными метрологическими характеристиками датчиков давления по ГОСТ 22521–85 являются нелинейность, вариация и повторяемость <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы: