Электрофизические свойства пленок Ni[x]Si[1-x] и Hf[x]Si[1-x] на подложках HfO[2]/Si и SiO[2]/Si

Исследованы морфология поверхности, кристаллическая структура, электрофизические свойства (удельная электропроводность, концентрация и подвижность носителей заряда) и зависимость работы выхода сверхтонких (=8 нм) пленок Hf[x]Si[1-x] и Ni[x]Si[1-x], сформированных методом импульсного лазерного осаждения (ИЛО) на подложках SiO[2]/Si и HfO[2] + SiO[2]/Si, от состава пленок x. Электронографические исследования показали, что сформированные пленки являются аморфными. Шероховатость поверхности пленок составила для Ni[x]Si[1-x] и Hf[x]Si[1-x]0, 23+[-]0, 05 нм и 0, 49+х[-]0, 5 нм, соответственно, и не зависела от x. Работа выхода в слоях Ni[x]Si[1-x] и Hf[x]Si[1-x] варьировалась в пределах 4, 9-5, 0 эВ и 4, 3-4, 8 эВ, соответственно, в зависимости от x. Удельное сопротивление пленок Hf[x]Si[1-x] и Ni[x]Si[1-x] изменяется в пределах (4Х10{-5}) - (2Х10{-3}) Ом {. } см и (5Х10{-6}) - (3Х10{-5}) Ом {. } см, соответственно, в зависимости от x.

Авторы

Тэги

пленки тонкие пленки сверхтонкие пленки электрофизические свойства подложки электропроводность удельная электропроводность подвижность носителей заряда лазерное осаждение импульсное лазерное осаждение аморфные пленки

Тематические рубрики

Прикладные науки. Медицина. Технология

Предметные рубрики

В этом же номере:

Эффект когерентной передачи квантовой информации в системе двух кубитов, О надежности схем в базисе при однотипных константных неисправностях на входах элементов, ...

Резюме по документу**

Ю. Ю. Лебединский, М. А. Пушкин ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК NixSi1–x И HfxSi1–x НА ПОДЛОЖКАХ HfO2/Si И SiO2/Si* Исследованы морфология поверхности, кристаллическая структура, электрофизические свойства (удельная электропроводность, концентрация и подвижность носителей заряда) и зависимость работы выхода сверхтонких (8 нм) пленок HfxSi1–x и NixSi1–x, сформированных методом импульсного лазерного осаждения (ИЛО) на подложках SiO2/Si и HfO2+SiO2/Si, от состава пленок x. <...> Проведенные исследования показали, что пленки HfxSi1–x и NixSi1–x являются перспективными для использования в качестве материалов затворов МОП-транзисторов в интегральных схемах нового поколения. <...> 1) решение проблемы паразитной диффузии легирующего элемента (бора) из поли-Si в канал сквозь сверхтонкий слой диэлектрика; <...> Наименование проекта «Электроды для затворов перспективных КМОП-приборов на основе силицидов металлов и сплавов»). <...> Поволжский регион 2) меньшее электрическое сопротивление затворной пленки; 3) меньшая эквивалентная толщина подзатворного диэлектрика. <...> Среди перспективных материалов для металлических затворов в настоящее время рассматриваются силициды Hf (для транзисторов с каналом p-типа проводимости) и Ni (для n-типа). <...> Между слоем диэлектрика HfO2 и подложкой наносился промежуточный слой SiO2 толщиной 0,5 нм. <...> Напыление пленок проводилось в камере препарирования рентгеновского фотоэлектронного спектрометра Kratos XSAM-800. <...> В камере препарирования напротив подложки на расстоянии 30 мм устанавливались на расстоянии 20 мм друг от друга две мишени – одна из Si и другая из Hf (Ni) (рис. <...> Призма лазер Вакуумная камера Мишень Ni(Hf) Подложка Мишень Si Подвижная призма PC нагреватель Рис. <...> 1 Схема установки импульсного лазерного осаждения пленок Hf(Ni)xSi1–x С использованием данной методики были получены МДП-структуры с управляющими электродами из пленок HfxSi1–x и NixSi1–x, состав которых х монотонно менялся вдоль образца на основе покрытых диэлектриком образцов Si. <...> На рисунке <...>

** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы:

Похожие документы из РУАЭСТ
|
Похожие документы из Руконт

Электрофизические свойства пленок Ni[x]Si[1-x] и Hf[x]Si[1-x] на подложках HfO[2]/Si и SiO[2]/Si

Помощь:

Участники: