Рекомбинационная спектроскопия глубоких центров в рентгеночувствительных приемниках

спектроскопия рекомбинационная спектроскопия рентгеночувствительные приемники рекомбинационные центры рекомбинация вольт-амперные характеристики математическая обработка математическое моделирование оператор Максвелла Максвелла оператор электронно-дырочные пары полупроводники

Нахождение поверхности в 3-мерном пространстве Галилея по ее квадратичным формам, Фотодиэлектрический эффект, связанный с возбуждением комплекса А {+} + e в квазинульмерных структурах, ...

С. В. Булярский, А. С. Басаев РЕКОМБИНАЦИОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ГЛУБОКИХ ЦЕНТРОВ В РЕНТГЕНОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ПРИЕМНИКАХ Разработан новый метод определения параметров глубоких центров, названный авторами рекомбинационной спектроскопией. <...> Показано, что результаты, получаемые путем математической обработки ВАХ р-n-переходов, согласуются с данными емкостных измерений. <...> Определены параметры ряда центров рекомбинации в кремнии, в том числе имеющих энергии термической активации 0,45 и 0,53 эВ. <...> На величину фототока диода, а следовательно чувствительность приемника в целом, решающее влияние оказывают рекомбинационные центры. <...> Механизмы, формирующие прямую ветвь вольт-амперной характеристики Вольт-амперные характеристики (ВАХ) измерялись с помощью автоматизированной установки. <...> Чтобы проанализировать механизмы, формирующие прямые ВАХ, авторы работ [3, 4] рекомендуют вычислить из экспериментальных данных дифференциальный показатель наклона, определяемый как 67 Известия высших учебных заведений. <...> Величина β служит признаком наличия сложных рекомбинационных процессов. <...> При рекомбинации через единственный двухзарядный центр дифференциальный показатель наклона изменяется от 1 до 2, причем область изменения в достаточной степени локализована. <...> Если в процессе рекомбинации участвует несколько двухзарядных центров, то на производной дифференциального показателя наклона можно различить пики, число которых соответствует числу уровней, участвующих в процессе рекомбинации. <...> На рисунке 1 приведены зависимости дифференциального показателя наклона от величины напряжения смещения. <...> Это позволяет сделать вывод, что для данных образцов основным механизмом формирования прямого тока является рекомбинация в области пространственного заряда. <...> 1 Дифференциальный показатель наклона ВАХ для различных образцов Вывод первый позволяет применить для определения параметров рекомбинационных центров метод рекомбинационной <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт