Роль различных поверхностей монокристалла CuO в сверхпроводимости интерфейса CuO-Cu

монокристаллы СП-состояние напыление атомов Cu поверхности монокристаллов интерфейс CuO-Cu сверхпроводники CuO-Cu

Особенности двумерных туннельных бифуркаций в условиях внешнего электрического поля, Электродинамический расчет ферромагнитного резонанса в магнитных композитных наноматериалах на основе решеток ферромагнитных наносфер, ...

И. И. Амелин РОЛЬ РАЗЛИЧНЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ МОНОКРИСТАЛЛА CuO В СВЕРХПРОВОДИМОСТИ ИНТЕРФЕЙСА CuO–Cu Аннотация. <...> В приближении Шубина-Вонсовского сделан анализ свойств сверхпроводящего состояния в интерфейсе CuO–Cu в зависимости от напыления атомов Cu на xz-, yz-, xy-грани монокристалла CuO. <...> Показано, что наибольшее значение критической температуры Tc 300K можно получить с помощью напыления атомов Cu на yz-грань. <...> При напылении атомов Cu на другие грани возможно СП-состояние с небольшими значениями Tc 10 K. <...> It is shown that the highest value of critical temperature Tc > 300 K can be obtained using the spraying of atoms on the yz face. <...> The spraying of Cu atoms on the other faces leads to the superconducting states with the small values of Tc 10 K. <...> В серии работ [1–4] автором с учетом слоистости ВТСП предложен механизм образования СП-состояния и возможный путь получения комнатнотемпературных сверхпроводников. <...> Объяснены многие экспериментальные свойства ВТСП, в том числе и большие Tc 1000 K в интерфейсе CuO–Cu. <...> Данные условия являются причиной образования в анионной подсистеме плоскостей волны зарядовой плотности (ВЗП). <...> Физика В 1934 г. С. П. Шубин и С. В. Вонсовский показали [6], что в узкой наполовину заполненной металлической зоне с одним электроном на центр при выполнении условия ZV > I, <...> (1) где Z – число ближайших соседей; I – энергия электростатического взаимодействия двух коллективизированных (бывших валентных) электронов у одного узла кристаллической решетки и такая же энергия между двумя коллективизированными электронами V двух соседних узлов решетки, возникает полярное состояние (именуемое в литературе как состояние с ВЗП) с параметром порядка m = 2. <...> Но, как показано в [2, 7], при таких r0 состояние с ВЗП не реализуется из-за наличия широкой зоны (большой кинетической энергии носителей). <...> Однако условие (1) будет реализовано в 2D-плоских системах в узкой зоне <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт