РУсскоязычный Архив Электронных СТатей периодических изданий
Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки/2009/№ 3/
В наличии за
40 руб.
Купить
Облако ключевых слов*
* - вычисляется автоматически
Недавно смотрели:

Моделирование радиационно-стимулированного источника тока на pin-структурах

Проведено моделирование и исследование генерации тока под действием электронного облучения с энергиями электронов 5-40 кэВ на pin-диодах. Разработана модель батареи питания, которая учитывает следующие процессы: генерацию электронно-дырочных пар за счет ионизации атомов кремния, диффузию и дрейфовый перенос электронов в объеме ОПЗ, а также рекомбинацию. Сравнение экспериментальных данных и численных расчетов подтверждает достоверность модели при облучении электронами средних энергий. Кроме этого, проведены измерения вольтамперной характеристики pin-диодов при воздействии бета-источника на основе Ni-63 с активностью 20-40 мКи.

Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
Проведено моделирование и исследование генерации тока под действием электронного облучения с энергиями электронов 5–40 кэВ на pinдиодах. <...> Разработана модель батареи питания, которая учитывает следующие процессы: генерацию электронно-дырочных пар за счет ионизации атомов кремния, диффузию и дрейфовый перенос электронов в объеме ОПЗ, а также рекомбинацию. <...> Сравнение экспериментальных данных и численных расчетов подтверждает достоверность модели при облучении электронами средних энергий. <...> Кроме этого, проведены измерения вольтамперной характеристики pin-диодов при воздействии бета-источника на основе Ni-63 с активностью 20–40 мКи. <...> При этом периоды полураспада, а следовательно, и работы таких батарей питания варьируются от нескольких лет (прометий-147) до сотен (никель-63). <...> Современные радиационностимулированные источника тока имеют КПД порядка 0,01 %, что не достаточно для их практического использования [2, 4]. <...> Именно поэтому моделирование генерации тока в полупроводниковых структурах под действием бетачастиц является актуальной задачей, решение которой позволит оптимизировать структуры диодов под выбранный бета-источник. <...> 1 Функция энерговыделения Известно, что количество генерируемых электронно-дырочных пар определяется энергией бета-частицы N 0 / iEE , где E 0 – энергия бетачастицы, а Ei 3,8 эВ – характеристическая энергия для кремния, определяемая как линейная функция запрещенной зоны [5]. <...> При этом генерация носителей заряда должна быть пропорциональна функции энерговыделения, определяемой из табличных данных [3, 6] (рис. <...> 1 Распределение энерговыделения по глубине для электронов различной энергии Из справочных данных для энергий электронного облучения 0,1; 0,5; 2 и 3 МэВ были определены величины 0z и . <...> 2) позволила рассчитать значения величин 0z и для электронного пучка с энергиями, используемыми в эксперименте, т.е. 15, 30 и 40 кэВ. <...> Как видно, аппроксимация достаточно хорошо описывает справочные экспериментальные <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы: